超低残压半导体浪涌保护元件(LT电子)
型號 |
斷態電壓 |
轉折電壓 |
通態壓降 |
維持電流 |
極間電容 | |||
VDRM V |
IDRM μA |
VS V |
IS mA |
VT V |
IT A |
IH mA |
CO pF | |
|
MAX |
TYPE |
MAX |
MAX |
|
MIN |
MAX | |
BS0060MS |
6 |
5 |
25 |
800 |
4 |
1 |
15 |
50 |
BS0060N-SMB |
6 |
5 |
25 |
800 |
4 |
1 |
15 |
80 |
BS0060N-C |
6 |
5 |
25 |
|
4 |
1 |
15 |
100 |
浪拓电子浪涌保护器经特别设计专为保护敏感的电信设备免受浪涌和其它瞬态过压器件,该系列产品能够处理非常高的浪涌电流,并稳定的电气特性,高可靠性,低电容等先进特性。
特点:
·双向crowbar 瞬态电压抑制
·高浪涌能力
·高断态阻抗,低漏电。
·低通态电压
·短路失效模式
型 号 标称直流击穿电压100V/s 直流击穿电压范围 冲击击穿电压1kv/µs 绝缘电阻DC 耐冲击电流8/20µs 耐工频电流50Hz 电容1kHz V % V GΩ kA A pF LT-B3R090L 90 ±25 ≤600 ≥10 10 10 ≤1 LT-B3R150L 150 ±25 ≤650 ≥10 10 10 ≤1 LT-B3R230L 230 ±20 ≤700 ≥10 10 10 ≤1 LT-B3R350L 350 ±20 ≤750 ≥10 10 10 ≤1 LT-B3R420L 420 ±20 ≤850 ≥10 10 10 ≤1 LT-B3R600L 600 ±20 ≤1100 ≥10 10 10 ≤1 浪拓电子(LangTuo)为您提供质的元器件产品,包括半导体放电管(Thyristor Surge Suppressors)、陶瓷气体放电管(Gas Discharge Tubes)、瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressors)、静电保护器(EletroStatic Protection Devices)等,同时我们为您提供的行业解决方案以及免费的测试验证服务等。更多产品和服务信息,请关注http://www.szlangtuo.com.
★ LangTuo陶瓷放电管GDT的特点: 1、 GDT从100V/s的慢速突波到10kV/μs高速突波均能提供极快的反应速度。 2、 提供稳定的击穿电压 3、 高绝缘电阻,高绝缘电阻的特性使GDT可以在高温高湿度下亦有良好的反应。 4、 较低的电容特性,低电容特性能够减少干扰或在高频的操作环境下减低传送损失。 5、 高过保持电压,能够快速回复高组抗状态以确保连续操作下的安全性。 6、 使用期限长,在一般状态下使用期限超过 10 年。 7、 电路设计简单,且对原电路没有任何影响。 8、 无放射性,GDT不含放射性物质,对于人体、环境及生态无不良影响。 LangTuo提供从金属、陶瓷到半导体的丰富电路保护产品,目前的产品系列包括保护晶闸管TSS、TVS二极管、二极管阵列、气体放电管。请关注http://www.szlangtuo.com