供应光敏传感器系列替代CDS光敏电阻（LXD/GB5-A1DPL)
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | LXD/GB5-A1DPL | |
| 品牌/商标： | 龙信达 |
光敏传感器系列
产品型号:LXD/GB5-A1DPL
替代CDS光敏电阻 ·符合RoHS指令/无铅/无镉
典型应用:
替代光敏电阻(CDS)
调节背景光,如LCD显示器,电视,PDA, 照相机和移动电话等
特性
随光照度变化线性输出内置滤光镜,其光谱响应特性类似人眼
低工作照度符合RoHS指令/无铅/无镉
1． 額定值(Ta= 25°C)
|
特性參數 |
符号 |
額定值 |
单位 |
|
集電極-發射級電壓 |
VCEO |
70 |
伏 |
|
發射級-集電級電壓 |
VCEO |
7 |
伏 |
|
集電極電流 |
IC |
20 |
毫安培 |
|
集電極功耗 |
PD |
100 |
毫瓦 |
|
工作溫度 |
Topr |
-25~+70 |
度 |
|
儲存溫度 |
Tstg |
-25~+80 |
度 |
|
焊接溫度（5 秒）※1 |
Tsol |
260 |
度 |
※1 At the position of 2mm from the bo ttom of the package within 5 s econds.
2. 光電特性(Ta= 25°C)
|
參數 |
符号 |
測試條件 |
最小 |
典型 |
|
单位 |
|
集電極光電流 |
IC |
VCE=5V, Ev= 100Lux, (Ee=1Mw/cm2) ※2 |
228 |
239.5 |
249 |
微安培 |
|
集電級暗電壓 |
ICEO |
VCE=5V, Ee= 0 ※2 |
|
|
10 |
納安 |
|
集電極-發射級飽和壓降 |
VCE(sat) |
IC=20mA,IB=100uA |
|
|
2.0 |
伏 |
|
峰值波長 |
λp |
|
|
850 |
|
納米 |
|
光譜靈敏度 |
Δλ |
|
450~1050 |
納米 | ||
|
半角度 |
Δθ |
|
|
±55 |
|
度 |
|
反應時間（上升） |
tr |
VCC=5V, IC=1mA RL=1K |
|
15 |
|
微秒 |
|
反應時間（下降） |
Tf |
|
15 |
|
微秒 | |
|
增益 |
hFE |
VCE=5v IC=2mA |
630 |
|
1070 |
|
※2 Ev ,Ee are illuminance irradiant by CIE standard light source A(tungsten lamp)at 2856K
- 所属城市：广东 深圳
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供应光敏传感器系列替代CDS光敏电阻（LXD/GB5-A1DPA)
信息内容：光敏传感器系列 ·产品型号:LXD/GB5-A1DPA ·替代CDS光敏电阻 ·符合RoHS指令/无铅/无镉 · 典型应用: ·替代光敏电阻(CDS) ·调节背景光,如LCD显示器,电视,PDA, 照相机和移动电话等 特性: ·随光照度变化线性输出内置滤光镜,其光谱响应特性类似人眼. ·低工作照度 材料及封装: 材料:N型Si / 封装:环氧树脂全包封 參數名稱 符號 測試條件 Min Typ Max 单位 暗電流 Idrk 0 Lux,Vdd=10V 200 nA 亮電流 Iss 10Lux,Vdd=5V,Rss=1kΩ 3.6 μA 100Lux,Vdd=5V,Rss=100Ω 12 感光光譜 λ 480 1050 nm 飽和壓降 Vdd-Vss Iss=100mA 0.18 V 回應速度 上升時間 tr Vdd=10V, Iss=5mA, RL=100Ω 3.2 μS 下降時間 tf 4.8 μS 光电特性 参数名称 符号 数值 单位 最小值 值 工作环境温度 Tamb -25 +90 ℃ 贮存温度 Tstg -30 +100 ℃ 反向击穿电压 V(BR)CEO ...
供应光敏传感器系列替代CDS光敏电阻（LXD/GB3-A1DPS)
信息内容：光敏传感器系列 产品型号:LXD/GB3-A1DPS 替代CDS光敏电阻 ·符合RoHS指令/无铅/无镉 典型应用: 替代光敏电阻(CDS) 调节背景光,如LCD显示器,电视,PDA, 照相机和移动电话等 特性/Materials and Packaging 随光照度变化线性输出内置滤光镜,其光谱响应特性类似人眼 低工作照度符合RoHS指令/无铅/无镉 材料及封装: 材料:N型Si / 封装:环氧树脂全包封 參數名稱 符號 測試條件 Min Typ Max 单位 暗電流 Idrk 0 Lux,Vdd=10V 200 nA 亮電流 Iss Vdd=5V, 20Lux,Rss=10KΩ 11 μA Vdd=5V,100Lux,Rss=10KΩ 55 感光光譜 λ 480 1050 nm 飽和壓降 Vdd-Vss Iss=100mA 0.3 V 回應速度 上升時間 tr Vdd=10V, Iss=5mA, RL=100Ω 3.2 μS 下降時間 tf 4.8 μS 光电特性 参数名称 符号 数值 单位 最小值 值 工作环境温度 Tamb -25 +90 ℃ 贮存温度 Tstg -30 +100 ℃ 反向击穿电压...
