光敏传感器系列替代CDS光敏电阻LXD/GB3-A1DPS(0805)
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | LXD/GB3-A1DPS(0805) | |
| 品牌/商标： | 龙信达 |
产品名称：可见光光敏传感器
产品型号：LXD/GB3-A1DPS(0805)
替代CdS 光敏電阻，符合RoHS 環保指令 / 無鉛 / 無鎘
普通型光敏傳感器
典型應用
·替代光敏電阻 (CdS)
·調節背景光，如LCD 顯示器，電視，PDA ，照相機和
移動電話等
·控制照明設備和玩具
特性
·隨光照度變化綫性輸出
·具有一定的溫度穩定性
·低暗電流，低工作照度
极限参数
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参数名称 |
数值 |
单位 |
|
工作电压 |
0 to 10 |
V |
|
反向击穿电压 |
30 |
V |
|
工作温度 |
-25 to 90 |
℃ |
|
储存温度 |
-30 to 100 |
℃ |
3.0 光电特性
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参数名称 |
符号 |
测试条件 |
Min |
Typ |
Max |
Unit | ||
|
暗电流 |
Idrk |
0Lux,Vdd=10V |
|
|
200 |
nA | ||
|
亮电流 |
Iss |
10Lux,Vdd=5V,Rss=1KΩ 100Lux,Vdd=5V,Rss=100Ω |
|
2 100 |
|
μA | ||
|
感光光谱 |
λ |
|
480 |
|
1050 |
nm | ||
|
饱和压降 |
Vdd-Vss |
Iss=100mA |
|
0.3 |
|
V | ||
|
响应速度 |
上升时间 |
tr |
Vdd=10V,Iss=100mA RL=100Ω |
|
3.2 |
|
μS | |
|
下降时间 |
tr |
|
4.8 |
|
μS | |||
使用说明：
不要在超出产品规格范围的情况下使用本传感器；
本说明书中提到的应用电路仅仅作为使用范例，请注意根据外围设施来设计电路并调整参数设置；
本传感器内有CMOS IC，应避免静电击穿；
应保证焊接温度在额定范围内，在焊接过程中或刚刚焊接完毕时避免有外力作用于引脚，不可反复焊接；
本产品符合欧共体RoHS指令；
产品表面的损伤和污染均会影响光电流，注意防潮；
SMD包装每盘3000只；
注意事项
本说明书中提到的应用电路仅作为标准使用范例.请注意根据外围设施来设计电路并调整参数设置.
应注意保证焊接温度不能超过额定范围.在焊接过程中或焊接完毕时应避免有外力作用于脚.
不可重复焊接.
本产品符合欧盟RoHS环保指令.
产品表面的损伤和污染均会影响光电流.
本产品采用微型透明塑胶封装，避免在过于潮湿环境中使用.
感谢你对龙信达科技的关注，我公司生产光敏电阻及光敏传感器，若需技术支持或样板试机，请于我工作人员联系，联络方式：
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供应光敏传感器系列替代CDS光敏电阻（LXD/GB5-A1DPS)
信息内容：光敏传感器系列 产品型号:LXD/GB5-A1DPS 替代CDS光敏电阻 ·符合RoHS指令/无铅/无镉 典型应用: 替代光敏电阻(CDS) 调节背景光,如LCD显示器,电视,PDA, 照相机和移动电话等 特性/Materials and Packaging 随光照度变化线性输出内置滤光镜,其光谱响应特性类似人眼 低工作照度符合RoHS指令/无铅/无镉 材料及封装: 材料:N型Si / 封装:环氧树脂全包封 參數名稱 符號 測試條件 Min Typ Max 单位 暗電流 Idrk 0 Lux,Vdd=10V 200 mA 亮電流 Iss 10Lux,Vdd=5V,Rss=1kΩ 30Lux,Vdd=5V,Rss=1kΩ 100Lux,Vdd=5V,Rss=100Ω 5 24 mA 感光光譜 λ 480 1050 nm 飽和壓降 Vdd-Vss Iss=100mA 0.3 V 回應速度 上升時間 tr Vdd=10V, Iss=5mA RL=100Ω 3.2 μS 下降時間 tf 4.8 μS 光电特性 参数名称 符号 数值 单位 最小值 值 工作环境温度 Tamb -25 +90 ℃ 贮存温度 Tstg -30 +100 ℃ 反向...
供应光敏传感器系列替代CDS光敏电阻（LXD/GB5-A1DPN)
信息内容：光敏传感器系列 ·产品型号:LXD/GB5-A1DPN ·替代CDS光敏电阻 ·符合RoHS指令/无铅/无镉 ·普通型光敏傳感器 典型应用: ·替代光敏电阻(CDS) ·调节背景光,如LCD显示器,电视,PDA, 照相机和移动电话等 特性: ·随光照度变化线性输出内置滤光镜,其光谱响应特性类似人眼. ·低工作照度符合RoHS指令/无铅/无镉 1. 額定值(Ta= 25°C) 特性參數 符号 額定值 单位 集電極-發射級電壓 VCEO 70 伏 發射級-集電級電壓 VCEO 7 伏 集電極電流 IC 20 毫安培 集電極功耗 PD 100 毫瓦 工作溫度 Topr -25~+70 度 儲存溫度 Tstg -25~+80 度 焊接溫度（5 秒）※1 Tsol 260 度 ※1 At the position of 2mm from the bo ttom of the package within 5 s econds 2. 光電特性(Ta= 25°C) 參數 符号 測試條件 最小 典型 单位 集電極光電流 IC VCE=5V, Ev= 100Lux, (Ee=1Mw/cm2) ※2 310 328.5 339 微安培 集電級暗電壓 ...
