供应RC0402JR-071KL贴片电阻0402 1 kOhm
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | RC0402JR-071KL | |
| 品牌/商标： | YAGEO | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 产品主要用途： | | |
| 功率分类： | | |
| 精度类别： | | |
| 外形结构特征： | | |
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| 包装形式： | |
| Product Detail Information | |
| Product Group | Resistor Chips |
| Ordering Code | RC0402JR-071KL |
| Ordering Code | 232270570102L |
| Unified CTC | RC0402JR-071KL |
| Additional Product Code | 9C04021A1001JLPF3 |
| Description | General Purpose 0402 1 kOhm +-5% Paper 178mm (7") Leadfree |
| Status | Preferred |
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| Series | General Purpose Chip Resistor |
| Size Code | 0402 (1005) |
| Tolerance | ±5% |
| Packing Style | Paper Tape |
| TCR spec | Standard-TC |
| Reel size & Specialty | 180 mm (7") Reel |
| Resistance | 1 kOhm |
| Power Rating | 1/16W |
- 所属城市：广东 深圳
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供应900V,5A N-Ch MOS管/K2717
信息内容：2SK2717Toshiba. TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,5A I(D),TO-220F MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。 步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个M OSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的...
供应大功率继电器ZH3FF T73/19*15.5*15.8
信息内容：ZH3FF dzsc/17/1084/17108443.tmp 1-1.额定电压：3,5,6,9,12,24,48VDC 1-2.线圈电阻：见规格表 1-3.吸合电压：见规格表 1-4.释放电压：见规格表 1-5.额定线圈功率：360mW、450mW dzsc/17/1084/17108443.tmp 2-1.触点形式：A-一组常开,H-一组转换 2-2.触点材料：Ag Alloy 2-3.触点负载：1A:15A125VAC/24VDC，10A 250VAC 1C:10A 120VC/24VDC,10A/6A 250VAC TV-5 2-4.切换电压：250VAC/24VDC 2-5.切换电流：15A 2-6.切换功率：1,800VA,360W 2-7.最小切换电压电流：5VDC,100mA 2-8.接触电阻(首次)：Max 100mΩ(6VDC 1A) 2-9.寿命 电气寿命：100,000次 机械寿命：10,000,000次 dzsc/17/1084/17108443.tmp 3-1.绝缘电阻：Min.1000MΩ 500VDC 3-2.介质耐压：750VAC,1 min触点与触点间 1,500VAC,1 min触点与线圈间 3-3.吸合时间：Max.10ms 3-4.释放时间：Max.5ms 3-5.温度范围：-30～+85℃ 3-6.冲击：强度 1,000m/s 稳定性 100m/s 3-7.振动：强度 10～55Hz,1.5mm双振幅 ...
