供应三端气体放电管B3D090L（LangTuo)
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | LT-B3D090L LT-B3D230L LT-B3D420L | |
| 品牌/商标： | LangTuo |
◆浪拓电子技术（www.szlangtuo.com）研制，生产，销售表面贴装陶瓷气体放电管的高科技公司
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Part Number |
DCSpark-over Voltage |
Impulse Life Test |
Minimum Insulation Resistance |
Maximum Capacitance |
Impulse Discharge Current |
Impulse Discharge Voltage |
Device Marking Code | |
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(V) |
8/20μs |
Test Voltage |
(MΩ) |
(1MHz 1V) |
8/20μs | |||
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(Times) |
DC(V) |
(pF) |
(A) | |||||
|
LT-B3D |
90±20% |
50 |
25 |
100 |
0.5 |
5000 |
10/700μs 4kV ±5 Times |
LangTuo |
|
LT-B3D |
230±25% |
50 |
50 |
100 |
0.5 |
5000 |
LangTuo | |
|
LT-B3D |
420±25% |
50 |
50 |
100 |
0.5 |
5000 |
LangTuo | |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 杨思
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供应半导体放电管BS2300K（LangTuo)
信息内容：半导体过压保护器件 半导体放电管过压保护器件是专门为通讯设施防雷击而设计的，它采用了先进的离子注入技术；具有精确导通、快速响应、浪涌吸收组能力强、可靠性高等特点；广泛应用于通讯交换设备、电话机、XDSL、通讯接口中；以保护其内部的IC免受瞬间过电压的冲击和破坏。 半导体过压保护器件特性： 1、半导体过压保护放电管采用了先进的离子注入技术，开启电压的一致性好，明显优于气体放电管和压敏电阻。 2、半导体放电管采用了SCR结构，浪涌电流的吸收能力强，明显优于TVS瞬态抑制二级管。 3、纳秒（10-9）级的响应速度 4、无极性、双向保护 5、可靠性高、寿命长 6、放电管表面贴装（SMA、SMB）、和轴向引线封装（DO-41）封装方式 半导体过压保护器件放电管的应用： 1、电话机、传真机 2、通讯接口（RS232/485/422)、T1/E1 3、程控交换机用户接口电路（SLIC)和数据线 4、XDSL(ADSL、VDSL、HDSL)、MODEM 5、通讯发射设备 6、CATV设备 型号 断态电压 转折电压 通态压降 维持电流 极间电容 VDRM V IDRM μA VS V IS mA VT V IT A IH mA CO pF MAX TYPE MAX MAX ...
供应快速动作固体放电管BS0080M
信息内容：半导体浪涌保护元件能够保护敏感的电信设备和数据通信设备,防止雷击瞬态电压等过电压事件造成损坏,在浪涌电压超过击穿电压时起分流的作用.当电压超过击穿电压时,SiBar半导体浪涌抑制器工作在保护特性曲线的低阻区,形成一个低阻通路,有效地降低过电压. 半导体浪涌保护元件符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要标准,可以对模拟和数字线路卡,XDSL和ISDN调制解调器、机顶盒、T1设备、VoIP设备和PoE设备实现快速的双向保护. 半导体浪涌保护元件与能量处理等级相同的箝位器件相比,具有更低导通电压和更小的体积,且电容小,适合应用于高速数据传输的电路中. 优点 • 有助于保护敏感的电信电子设备 • 泄漏电流低 • 功率耗散低 • 电容低,适合高速通信应用 • 动作快而可靠 • 没有会磨损的机械零件 • 帮助设计者符合全球性的电信标准 • 有助于减少维修和服务成本 • 易于安装 • 有助于提高设备的电源效率 特性 • 符合RoHS标准要求 • 双向瞬变电压保护 • 截止时呈高阻状态 • 导通时呈低阻状态 • 浪涌吸收能力高 • 新低电容和...
