MODEL |
Vmax (V) |
Imax (A) |
Ih (mA ) |
Rmax (Ω) |
Rmin (Ω) |
Pd ( W) |
Maximum Contour Size(mm) | |||
A |
B |
C |
D | |||||||
K60-010 |
60 |
40 |
0.10 |
6.00 |
2.50 |
0.38 |
7.40 |
12.7 |
3.1 |
5.10 |
K60-017 |
60 |
40 |
0.17 |
5.21 |
3.30 |
0.48 |
7.40 |
12.7 |
3.1 |
5.10 |
K60-020 |
60 |
40 |
0.20 |
2.84 |
1.83 |
0.41 |
7.40 |
12.7 |
3.1 |
5.10 |
K60-025 |
60 |
40 |
0.25 |
1.95 |
1.25 |
0.45 |
7.40 |
12.7 |
3.1 |
5.10 |
K60-030 |
60 |
40 |
0.30 |
1.36 |
0.88 |
0.49 |
7.40 |
13.0 |
3.1 |
5.10 |
K60-040 |
60 |
40 |
0.40 |
0.88 |
0.55 |
0.56 |
7.40 |
13.5 |
3.1 |
5.10 |
K60-050 |
60 |
40 |
0.50 |
0.79 |
0.50 |
0.77 |
7.80 |
13.7 |
3.1 |
5.10 |
K60-065 |
60 |
40 |
0.65 |
0.50 |
0.31 |
0.88 |
9.70 |
14.5 |
3.1 |
5.10 |
K60-075 |
60 |
40 |
0.75 |
0.42 |
0.25 |
0.92 |
10.4 |
15.2 |
3.1 |
5.10 |
K60-090 |
60 |
40 |
0.90 |
0.33 |
0.20 |
0.99 |
11.7 |
15.8 |
3.1 |
5.10 |
K60-110-Y |
60 |
40 |
1.10 |
0.27 |
0.15 |
1.50 |
13.0 |
18.0 |
3.1 |
5.10 |
K60-110-F |
60 |
40 |
1.10 |
0.27 |
0.15 |
1.50 |
13.0 |
18.0 |
3.1 |
5.10 |
K60-135 |
60 |
40 |
1.35 |
0.21 |
0.12 |
1.70 |
14.5 |
19.6 |
3.1 |
5.10 |
K60-160 |
60 |
40 |
1.60 |
0.16 |
0.09 |
1.90 |
16.3 |
21.3 |
3.1 |
5.10 |
K60-185 |
60 |
40 |
1.85 |
0.14 |
0.08 |
2.10 |
17.8 |
22.9 |
3.1 |
5.10 |
K60-250 |
60 |
40 |
2.50 |
0.10 |
0.05 |
2.50 |
21.3 |
26.4 |
3.1 |
10.2 |
K60-300 |
60 |
40 |
3.00 |
0.08 |
0.04 |
2.80 |
24.9 |
30.0 |
3.1 |
10.2 |
K60-375 |
60 |
40 |
3.75 |
0.07 |
0.03 |
3.20 |
28.5 |
33.5 |
3.1 |
10.2 |
浪拓电子技术是过压过流保护领域的一家极具远见的成功企业。浪拓电子积淀多年的防护技术和高度创新能力正在为遍布全国的数百个合作伙伴创造价值。
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SiBar半导体浪涌保护元件(LT电子) 型號 斷態電壓 轉折電壓 通態壓降 維持電流 極間電容 VDRM V IDRM μA VS V IS mA VT V IT A IH mA CO pF MAX TYPE MAX MAX MIN MAX BS0640K 58 5 77 800 4 1 150 100 BS0720K 65 5 88 800 4 1 150 100 BS0800K 75 5 98 800 4 1 150 100 BS1800K 160 5 220 800 4 1 150 100 BS2300K 190 5 260 800 4 1 150 60 BS2600K 220 5 300 800 4 1 150 60 BS3100K 275 5 350 800 4 1 150 50 BS3500K-E 340 5 490 800 4 1 100 29 ■浪拓电子技术有限公司(http://www.szlangtuo.com)是国内一家全方位,全流程提供防雷方案和ESD静电保护元件的高科技公司.
SiBar半导体浪涌保护元件能够保护敏感的电信设备和数据通信设备,防止雷击瞬态电压等过电压事件造成损坏,在浪涌电压超过击穿电压时起分流的作用.当电压超过击穿电压时,SiBar半导体浪涌抑制器工作在保护特性曲线的低阻区,形成一个低阻通路,有效地降低过电压. SiBar半导体浪涌保护元件符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要标准,可以对模拟和数字线路卡,XDSL和ISDN调制解调器、机顶盒、T1设备、VoIP设备和PoE设备实现快速的双向保护. SiBar元件与能量处理等级相同的 位器件相比,具有更低导通电压和更小的体积,且电容小,适合应用于高速数据传输的电路中. 优点 • 有助于保护敏感的电信电子设备 • 泄漏电流低 • 功率耗散低 • 电容低,适合高速通信应用 • 动作快而可靠 • 没有会磨损的机械零件 • 帮助设计者符合全球性的电信标准 • 有助于减少维修和服务成本 • 易于安装 • 有助于提高设备的电源效率 特性 • 符合RoHS标准要求 • 双向瞬变电压保护 • 截止时呈高阻状态 • 导通时呈低阻状态 • 浪涌吸收能力高 • 新低电容和...