1、约占由1a型和1b型组成的photoMOS继电器的一半位置。
2、可用于1a,1b型和2个独立的1a,1b型。
3、低热电动势(约1uV).
4、输入侧的驱动回路中无需反向电势;护二极管。
5、5mA的输入电流可控制到0.13A的负载电流。
6、高速开关速度:标准300ns的动作时间。
7、无需驱动功率MOSFET的电源。
8、具有很低的闭路偏置电压,可用于微小模拟信号控制而无失真。
9、安定的导通电阻。
AQW614,AQW614A,AQW614AX,AQW614AZ.
TSR-10DA TSR-25DA TSR-40DA TSR-60DA SSR-10DA SSR-25DA SSR-40DA SSR-60DA SSR-10VAAADA SSR-25VAAADA SSR-40VAAADA SSR-60VAAADA SSR-75VAAADA SSR-90VAAADA
1.29.0*12.7*15.7mm(L*W*H) 2.符合VDE,UL,CSAT和CQC.可使用ULF级绝缘材料。 3.低功率消耗(400mw). 4.可使用单点,高容量,AC线圈。 5.线圈和新年好点间的清除与漏电间距:8mm/8mm同极接点间的距离:3mm/4mm. 6.可自由使用Cd,pb和Chromium. 具体型号: VSB-3STB VSB-5STB VSB-12STB VSB-24STB VSB-3TB VSB-5TB VSB-12TB VSB-24TB