1:同G2R一样形状的功率MOS FET继电器AC/DC两用,可以1A开始负载
2:可以AC 240V又DC100V 负载关闭
3:输入电阻和非线性电阻内藏
4:可以AC全波整流负载半波整流负载开闭
具体型号:
G3RZ-201SLN-5V
G3RZ-201SLN-12V
G3RZ-201SLN-24V
1:高度为15MM的低高度型。2:小型,但可实现AC250V,8A的开闭。3:消耗电流为220MW的高灵敏度。4:绝缘距离8MM,线圈接点间耐冲击电压10KV的高绝缘。5:满足使用环境温度85度。6:重视环境,采用无镉接点。7:主要用于:控制设备。具体型号:G6RN-1-5V,G6RN-1-12V,G6RN-1-24V,G6RN-1A-5VG6RN-1A-12V,G6RN-1A-24V
1:高5.2MM*宽6.5MM*长10MM的超小型,对应高度封装。2:实现高度为5.2MM的低高度,封装效率提高的承诺。3:约0.7G的超轻量型。对应更高速度的封装。4:实现于本公司以往产品相比70%的低电力消耗100MW的高灵敏度,5:实现线圈接点耐高压AC1,500V,且耐冲击电压1.5KV 10*160US(TCC PART68标准)。具体型号: AGQ20003 AGQ2004H AGQ20012 AGQ20024AGQ21003 AGQ2104H AGQ21012 AGQ21024AGQ200A03 AGQ200A4H AGQ200A12 AGQ200A24 AGQ210A03 AGQ210A4H AGQ210A12 AGQ210A24 AGQ200S4H AGQ200S12 AGQ200S24 AGQ210S4H AGQ210S12 AGQ210S24