深圳市亚拓电子有限公司供应欧姆龙继电器
特性:
1.29.0*12.7*15.7mm(L*W*H)
2.符合VDE,UL,CSAT和CQC.可使用ULF级绝缘材料。
3.低功率消耗(400mw).
4.可使用单点,高容量,AC线圈。
5.线圈和新年好点间的清除与漏电间距:8mm/8mm同极接点间的距离:3mm/4mm.
6.可自由使用Cd,pb和Chromium.
具体型号:
G5RL-1-5V G5RL-1-12V G5RL-1-24V G5RL-1A-5V
G5RL-1A-12V G5RL-1A-24V G5RL-1-E-5V G5RL-1-E-12V
G5RL-1-E-24V G5RL-1A-E-5V G5RL-1A-E-12V G5RL-1A-E-24V
特性:1、低导通电阻常闭型:内装有采用本公司独自开发的二重扩散选择掺杂质法(DSD)制作的MOSTET.2、小模拟信号控制:PhotoMos继电器具有很低的闭路偏置电压,要用于微小模拟信号控制而无失真。3、高灵敏度,低导通电阻:5mA的输入电流能控制0.12A的负载电流。50欧(AQV414E)的低导通电阻,同于无金属触头所以能可靠地动作。4、低无路漏电电流:SSR有几个uA的开路漏电电流,而PhotoMos继电器即便在额定400V(AQV414E)的负载电压时也仅有100pA的漏电电流。5、提供耐高绝缘电压5000V型:内部的输入,输出端间绝缘距离大于0.4mm,符合IEC950(高绝缘型)标准。用途:电话设备(拨号,揿按)和测量仪器。AQV414,AQV414A,AQV414AX,AQV414AZAQV414E,AQV414EA,AQV414EAX,AQV414EAZAQV414EH,AQV414EHA,AQV414EHAX,AQV414EHAZ.
特性:1、低导通电阻常闭型:内装有采用本公司独自开发的二重扩散选择掺杂质法(DSD)制作的MOSTET.2、小模拟信号控制:PhotoMos继电器具有很低的闭路偏置电压,要用于微小模拟信号控制而无失真。3、高灵敏度,低导通电阻:5mA的输入电流能控制0.12A的负载电流。50欧(AQV414E)的低导通电阻,同于无金属触头所以能可靠地动作。4、低无路漏电电流:SSR有几个uA的开路漏电电流,而PhotoMos继电器即便在额定400V(AQV414E)的负载电压时也仅有100pA的漏电电流。5、提供耐高绝缘电压5000V型:内部的输入,输出端间绝缘距离大于0.4mm,符合IEC950(高绝缘型)标准。用途:电话设备(拨号,揿按)和测量仪器。AQV414,AQV414A,AQV414AX,AQV414AZAQV414E,AQV414EA,AQV414EAX,AQV414EAZAQV414EH,AQV414EHA,AQV414EHAX,AQV414EHAZ.