| 价 格: | 面议 | |
| 型号/规格: | JTV1-S-TMP-12V,JTV1-S-TMP-24V JTV1-G-TMP-12V,JTV1-G-TMP-24V | |
| 品牌/商标: | NAIS松下继电器 |
JTV1A-12V JTV1A-24V JTV1A-S-TMP-12V JTV1A-S-TMP-24V
JTV1-S-TMP-12V JTV1-S-TMP-24V JTV1-G-TMP-12V JTV1-G-TMP-24V
JTV1A-S-PA-12V JTV1A-S-PA-24V JTV1-S-PA-12V JTV1-S-PA-24V
JTV1-G-PA-12V JTV1-G-PA-24V
1.29.0*12.7*15.7mm(L*W*H) 2.符合VDE,UL,CSAT和CQC.可使用ULF级绝缘材料。 3.低功率消耗(400mw). 4.可使用单点,高容量,AC线圈。 5.线圈和新年好点间的清除与漏电间距:8mm/8mm同极接点间的距离:3mm/4mm. 6.可自由使用Cd,pb和Chromium. 具体型号: 3MB 5MB 12MB 24MB 3SMB 5SMB 12SMB 24SMB 3M-NR 5M-NR 12M-NR 24M-NR 3U-N 5U-N 12U-N 24U-N 3SU-N 5SU-N 12SU-N 24SU-N
1:实行高度5MM,可以与半导体元件安装于同一基板。2:额定消耗电力140MW的高灵敏度。3:低消耗电力实现的低热起电力化(约2UV)(G6H-2F除外)。4:漏磁力线少,可进行高密度实装。5:确保耐冲击电压1500V。6:实现高速动作。7:标准型取得UL,CSA规格。8:超声波清洗对应,备用1绕组闭锁型和2绕组闭锁型。备有完全对应IRS,VPS的表面安装型。 型号: A3W-K A5W-K A12W-K A24W-K AL3W-K AL5W-K AL12W-K AL24W-K AD3W-K AD5W-K AD12W-K AD24W-K