P0080SB
半导体闸流式浪涌保护器
一、 特点
1、 双向浪涌电流吸收
2、峰值脉冲电流:IPP =
3、最小击穿电压=6V
4、转折电压=25V
5、最小维持电流=150mA
6、极低的截止漏电流,IRM≤5μA
二、 描述
封装形式:
(DO-214AA),2500PCS/盘
应用范围:
音、视频双绞线传输保护
光端机防雷、高速智能球防雷
RS485/232通讯线路保护
T1/E1通讯模拟和数字线路卡板、数字终端及传输设备
浪拓电子技术为客户提供器件级到系统级的全方位的防雷及过压过流解决方案,是目前国内防雷技术领域最全面的供应商。
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我们并免费为客户提供ITU-T K系列全套EMC测试服务,ESD静电测试服务,FCC Part68.GR1089雷击测试服务。
测试项目:
1. SURGE 雷击浪涌测试 IEC6
2. 电力线感应 碰触 ITUT-T K 系列标准
3. ESD静电测试 IEC6
4. 10/1000μs 雷击浪涌测试
ESD静电保护器 深圳市浪拓电子技术有限公司 www.szlangtuo.com ESD(静电放电)保护器件是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。PESD保护器件可避免电子设备中的敏感电路受到ESD的影响。 Raychem PESD保护器件可提供非常低的电容,与其他同类元件相比具有更优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC61000-4-2测试能力,尤其是在多采样数(高达1000)之后。该器件可比传统的聚合物ESD器件提供更低的触发电压和更低的箝位电压,进而改善对敏感电子元件的保护。 产品系列 PESD0402 PESD0603-140 PESD1206Q-140 RoHS/ELV 版本 所有型号符合RoHS/ELV标准 工作电压VDC 0V 14V 14V 典型触发电压1 VT(IEC) 150V 350V 475V 典型箝位电压1&2 VT(IEC) 25V 30V 60V 典型电容 3&4 @ 1MHz, 1Vrms (Cp) 0.25 pF 0.25pF 0.25 pF 典型漏电流 I L(TYP) <0.001 µA 漏电流 @ Max VDC 0.01µA 0.01 µA 0.01 µA 形状尺寸 (英寸) : 0402 0603 1206 注解:1. 在IEC 61000-4-2 的四级脉冲条件下...
TED485 TED485SA 特性: 1. 比陶瓷管式封装体积更小,更薄,适合高密度表面贴装。(DO-41 SMD) 2. 电涌耐量高。(8/20μ s ,2000A) 3. 反应速度快。 4. 电涌吸收性能好。 绝缘电阻:100MΩ Min(DC100V) 5. 静电容量:1pF Max 耐电涌量:8/20μ s ,2000A;10/700 μ s ,4kv 正/负 各5回