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是目前国内防雷技术领域最全面的供应商。
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ESD(静电放电)保护器件是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。PESD保护器件可避免电子设备中的敏感电路受到ESD的影响。 Raychem PESD保护器件可提供非常低的电容,与其他同类元件相比具有更优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC61000-4-2测试能力,尤其是在多采样数(高达1000)之后。该器件可比传统的聚合物ESD器件提供更低的触发电压和更低的箝位电压,进而改善对敏感电子元件的保护。
产品系列 | PESD0402 | PESD0603-140 | PESD1206Q-140 |
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RoHS/ELV 版本 | 所有型号符合RoHS/ELV标准 | ||
工作电压VDC | 0V | 14V | 14V |
典型触发电压1 VT(IEC) | 150V | 350V | 475V |
典型箝位电压1&2 VT(IEC) | 25V | 30V | 60V |
典型电容 3&4 @ 1MHz, 1Vrms (Cp) | 0.25 pF | 0.25pF | 0.25 pF |
典型漏电流 I L(TYP) | <0.001 µA | ||
漏电流 @ Max VDC | 0.01µA | 0.01 µA | 0.01 µA |
形状尺寸 (英寸) : | 0402 | 0603 | 1206 |
型号 : TED485 TED485SA( 提供UL认证和ROHS报告) 直流放电电压:98V -182V 绝缘电阻: 100MΩ 静电电容量: 1PF max 突破寿命: 8X20μsec 100A 10次 浪拓电子技术为客户提供器件级到系统级的全方位的防雷及过压过流解决方案, 是目前国内防雷技术领域最全面的供应商。 www.szlangtuo.com 在RS485 接口的雷击浪涌的防护方案: 前级用陶瓷气体放电管:BA151N BA201N BA401N B3D090L 退藕限流PTC:JK250-120 LP-MSM010 后级半导体放电管/TVS:BS0080M/SMBJ6.5CA 此方案通过K21 相关测试,可达到差摸4KV,共模6KV,10/700US的防护等级。 在RS232 接口的雷击浪涌的防护方案: 100欧限流电阻 + P0150 在ADSL过压防护护方案: 用:BS3500K-E BA401N BS0080M 通过K21相关测试,达到1.5KV ,10/700US的防护等级。 视频口防护推荐:BS0080MS,此方案满足IEC61000-4-5标准,满足10/700US 2KV 静电空气放电15KV 接触放电8KV。 1. BA131N+250-120U+BS0080MS 2. B3D090L+250-120U+SLVU2.8
SMD1812系列 RoHs 型号 保持电流 跳脱电流 电压 电流 消耗功率 跳脱时间 电阻范围 电流 时间 最小 A A V A W A Sec Ω Ω SMD020-1812 0.20 0.40 30 10 0.8 8.0 0.02 0.80 5.00 SMD035-1812 0.35 0.70 16 40 0.8 8.0 0.10 0.32 1.50 SMD050-1812 0.50 1.00 16 40 0.8 8.0 0.15 0.15 1.00 SMD075-1812 0.75 1.50 16 40 0.8 8.0 0.02 0.11 0.45 SMD110-1812 1.10 2.20 6 40 0.8 8.0 0.30 0.04 0.21 SMD150-1812 1.50 3.00 6 40 0.8 8.0 0.50 0.04 0.11 SMD200-1812 2.00 3.50 8 40 0.8 8.0 2 0.02 0.07 LP-MSM010, LP-MSM014, LP-MSM020, LP-MSM050, LP-MSM075, LP-MSM110, LP-MSM125, LP-MSM150, LP-MSM160, LP-MSM190, LP-MSM200, LP-MSM260 浪拓电子技术为客户提供器件级到系统级的全方位的防雷及过压过流解决方案, 是目前国内防雷技...