单刀单掷-常开型,中断10A负载; 单刀单掷-常开+单刀单掷-常闭型中断8A负载; 紧凑:20×15×10mm(长×宽×高);低功耗:200mW;有磁通保护的或塑料密封的结构;独有的移动线圈电枢减小了继电器尺寸,磁干扰和触点弹跳.
G6C-1114P-US-5V G6C-1114P-US-12V G6C-1114P-US-24V
G6C-2114P-US-5V G6C-2114P-US-12V G6C-2114P-US-24V
G6C-1114C-US-5V G6C-1114C-US-12V G6C-1114C-US-24V
G6C-2114C-US-5V G6C-2114C-US-12V G6C-2114C-US-24V
G6CU-1117P-US-5V G6CU-1117P-US-12V G6CU-1117P-US-24V
G6CU-2117P-US-5V G6CU-2117P-US-12V G6CU-2117P-US-24V
G6CU-1117C-US-5V G6CU-1117C-US-12V G6CU-1117C-US-24V
G6CU-2117C-US-5V G6CU-2117C-US-12V G6CU-2117C-US-24V
G6CU-1117P-US-5V G6CU-1117P-US-12V G6CU-1117P-US-24V
G6CU-2117P-US-5V G6CU-2117P-US-12V G6CU-2117P-US-24V
G6CU-1117C-US-5V G6CU-1117C-US-12V G6CU-1117C-US-24V
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G6CK-1117P-US-5V G6CK-1117P-US-12V G6CK-1117P-US-24V
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G6CK-1114P-US-5V G6CK-1114P-US-12V G6CK-1114P-US-24V
G6CK-2114P-US-5V G6CK-2114P-US-12V G6CK-2114P-US-24V
补偿电G3VM-V/VF型;MOS FET和GaAIAs红外发光二极管相结合的 6管脚DIP接头MOS FET继电器; 由于接通时的压很低,最适合微小信号扫描电路及数字交换机用户电路等模拟信号的开闭;获得UL1577认证(文件号:E80565); G3VM-V
用于5A或10A型号的立方形单极电力继电器,超小型22.5×16.5×19mm(长×宽×高) ,5A或10A的触点额定值,可承受高达4500V的脉冲,有三种密封形式:不密封,磁通保护,塑料密封; G5LE-1-5V,G5LE-1-12V,G5LE-1-24V,G5LE-1A-5V, G5LE-1A-12V,G5LE-1A-24V,G5LE-1A-E-5V, G5LE-1A-E-12V,G5LE-1A-E-24V,