SST芯片存储器

产品参数：

 

 　  存储器类型 NOR Flash                            速度 70NS
　　工作电压 2.7~3.6V                               封装-箱体 960
　　封装 TSOP48                                       存储容量 32 Mbit
　　最小温度范围 -40℃                               工作温度 +85℃
　　类型： 存储器                                      品牌： SST
　　型号： SST39VF3201-70-4C-EKE             封装： TS48
　　批号： 2010

 

NOR Flash与NAND Flash的比较
　　虽然NOR和NAND两种技术在现在的市场上都占有主流的地位，而且经过十几年的历史，但是现在仍然有相当多的硬件工程师分布清楚NOR和NAND闪存。相“FLASH存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。      NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在FLASH闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。      NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于FLASH的管理和需要特殊的系统接口。
　　
性能比较
　　FLASH闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何FLASH器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0.      由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反，擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms.

 

 

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