PCT存储器原厂

产品参数：

　　类型：通信IC
　　频率：80
　　型号：PCT25VF064C-80-4I-SCE
　　批号：2012+
　　品牌：PCT
　　针脚数：16
　　电源电压：2.7-3.6
　　封装：SOIC8
　　存储器类型 NOR Flash
　　频率 80MHZ
　　工作电压 2.7~3.6V
　　封装-箱体 3680
　　封装 SOIC16
　　存储容量 64M（8Mx8）
　　最小温度范围 -40℃
　　工作温度 +85℃

　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下（很少见，NAND发生的次数要比NOR多），一个比特位会发生反转或被报告反转了。
　　一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
　　当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正（EDC/ECC）算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。
　　这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0.
　　由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反，擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms.
　　执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
　　l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。
　　2、 NAND的写入速度比NOR快很多。
　　3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
　　4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
　　5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
　　此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。

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