高性能LG50N10AD贴片场效应管 N-MOS管

一、产品参数

1. 器件类型：N 沟道增强型 MOSFET贴片场效应管

2. 封装规格：TO-252（DPAK）贴片封装

3. 漏源电压：100V

4. 连续漏极电流：50A（25℃环境条件）

5. 导通内阻 RDS (on)：≤14.5mΩ（VGS=10V）

6. 限定耗散功率：105W

7. 栅源电压范围：±20V

8. 开启电压：2.0V~4.0V

9. 工作温度区间：-55℃ ~ +150℃

10. 执行标准：RoHS 无铅环保

二、产品优势

1. 贴片 TO-252 封装，可 SMT 机器贴装，批量加工效率更高；

2. 低导通阻抗，大电流工况下发热损耗更低，电路可靠性更佳；

3. 沟槽栅工艺打造，开关响应速度快，适配各类高频开关电源方案；

4. 100V 耐压等级，覆盖多数低压大功率应用场景，耐受性能良好。

三、适用应用场景

• 开关电源次级同步整流回路

• DC-DC 升降压大功率电源模块

• 小型直流电机、电动车控制主板

• 锂电池充放电保护板功率开关

• 车载电源、工业控制负载驱动电路

四、包装与交付

整盘卷带编带包装，标准盘装数量出货，便于仓库管理与产线自动化贴片使用。