功率器件换相时间测试

功率器件换相时间测试

电路换相关断时间定义为外部切换主电路后，通态电流降至零瞬间，和器件能承受而不致转折的断态电压急剧上升过零或zui早的低的正值瞬间之间的时间间隔。其测试原理是在反向恢复测试后施加特定电压上升率的再加电压，调整电压和电流的间隔时间找到临界值，读出电流下降到零点到电压上升。

功率器件换相时间测试

技术条件：

环境温度： 5—35℃;

相对湿度： 小于60%；

大气压力： 80Kpa —106Kpa。到零点的时间。

供电电网： 单向220V±10%；

电网频率： 50Hz±1Hz；

输入功率：小于5KW。

zuida关断电流ITGQM：200~20000A,连续可调，分辨率1A精度±3%±30A ，导通电流宽度zuida5mS

zuida电路换相关断时间：≥2000μs

主电容电压为100～4500V，连续可调，分辨率1V，容许偏差±3%±5V

电感的分档为100u～1000uH,分4档，自动切换

关断反馈延迟时间：tdoff  SF  0～20μs 分辨率0.01μs  容许偏差±5%±0.05μs

关断延迟时间：td(off)  0～20μs 分辨率0.01μs ，容许偏差±5%±0.05μs

断态电压上升率：dv/dt zuida5000V/μs  分辨率1V/μs，容许偏差±5%±10V/μs

通态电流下降率：-di/dt zuida-1000A/μs  分辨率1A/μs，容许偏差±5%±10A/μs

控温范围：25-180℃，精度2%±1℃

可以满足150KN的自动控温夹具

功率器件换相时间测试

核心业务为半导体功率器件测试设主要有：

MOSFET参数测试设备：

静态参数测试（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力测试，老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。

IGBT参数测试设备：

静态参数测试（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE）；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。

二极管及可控硅/晶闸管（SCR）参数测试设备：

静态参数测试（包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL ）；动态参数测试（Turn_on&off / Qrr_FRD）；浪涌参数测试ITSM；di/dt测试；老化及可靠性测试（高温阻断）；热阻参数测试Rth。

产品以高度集成化、智能化、高速高精度、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等。

( 湖南半导体检测)

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