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- 企业类型：贸易商
- 新旧程度：全新
- 原产地：中国
- 电压灵敏：10mV／cm
- 仪器消耗功率： <25W
单晶少子寿命测试仪 型号:THZ24-LT-2
THZ24-/LT-2型单晶少子寿命测试仪，该仪器用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。
本仪器根据高频光电导衰退法的原理，由稳压电源、高频源、检波放大器，InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。
单晶少子寿命测试仪 型号:THZ24-LT-2
技 术 指 标 ：
测试单晶电阻率范围 >2Ω.cm
可测单晶少子寿命范围 5μS～7000μS
配备光源类型 波长：1.09μm；余辉<1 μS；
闪光频率为：20～30次／秒；
高频振荡源 用石英谐振器，振荡频率：30MHz
前置放大器 放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz
仪器测量重复误差 <±20％
测量方式 采用对标准曲线读数方式
仪器消耗功率 <25W
单晶少子寿命测试仪 型号:THZ24-LT-2
仪器工作条件 温度： 10-35℃、 湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz
可测单晶尺寸 断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器 频宽0—20MHz；
电压灵敏：10mV／cm；
