随着芯片工艺的进步，芯片的速度和功能都得以，但芯片却变得更加脆弱。集成度的使得器件尺寸越来越小，器件之间的连线宽度越来越窄，钝化层越来越薄，这些因素都会使芯片对D的敏感性增加。一个不太高的D电压就能将晶体管击穿，一个不太大的D电流就能将连线熔断。因此静电放电保护，今天我们推荐D静电二管SRV05-4，它可以让我们的电子产品担心静电放电的危害
低电容D静电二管阵列、SRV05-4
75 W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)
D 保护：IEC 61000-4-2 (D) ±15kV（空气），±8kV（触点）IEC 61000-4-4 () 40A (5/50ns)IEC 61000-4-5（雷电）12A (8/20μs)额定浪涌二管阵列，带内部TVS 二管保护四个输入/输出线路典型低电容1.8pF，用于接口
1：D静电二管SRV05-4的参数：
封装：SOT-26
电压：5V
钳位电压：12.5V
容值：1.2pF
功率：350W:
2：D静电二管SRV05-4有啥特性？
1、依据(tp=8/20μs)线路，峰值脉冲功率为350W
2、保护四个I/O线
3、低钳位电压
4、工作电压：5V
5、低漏电流
6、IEC61000-4-2(D)±15kV(空气),±8kV(接触)
7、IEC61000-4-4()40A(5/50ηs)
8、IEC61000-4-5(Lightning)5A(8/20μs)
3：D静电二管SRV05-4尺寸图
4：购买须知
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