- 企业类型：制造商
- 新旧程度：全新
- 原产地：深圳
华科智源研发生产半导体测试设备，提供ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪，大功率IGBT到小功率管MOS的测试， 包括动态参数和静态参数测试，雪崩能量测试以及热阻测试， 索取相关资料和报价请联系陈先生18
ITC57300是美国ITC公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备，采用测试主机+功能测试头+个性板的测试架构，可以满足N沟道、P沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求，且具有波形实时显示分析功能，是目前具水平的完备可靠的动态参数测试设备。
ITC57300动态参数测试系统主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，TRR /的Qrr和其他瞬态测试。
ITC57300能力
ITC57300是美国ITC公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备，采用测试主机+功能测试头+个性板的测试架构，可以满足N沟道、P沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求，且具有波形实时显示分析功能，是目前具水平的完备可靠的动态参数测试设备。
ITC57300动态参数测试系统主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，TRR /的Qrr和其他瞬态测试。
ITC57300能力
测试电压：1200 VDC 200（短路电流可达1000A）
定时测量：为1 ns
漏电流限制监视器
- MOSFET开关时间测试， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET栅电荷Qg测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性开关时间测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量测试，Max ISC=1000A
测试标准：
- MIL-STD-750 Series
额外的电源供应器
额外的测试头
大包装适配器
ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472开关时间
ITC57220 - TRR /电源，MOSFET和二极管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT，MIL-STD 750方法3477
ITC57250 - （ISC）短路耐受时间，MIL-STD-750方法3479
很容易改变的测试头
在不同参数的自动化测试
坚固耐用的PC兼容计算机
用户友好的菜单驱动软件
可编程测试出纸槽
电子表格兼容的测试数据
可选内部电感负载
GPIB可编程测试设备
四通道高带宽数字示波器
脉冲发生器
1200V电源
测试头高电压互锁
接收端的高电压互锁
高速漏极供电开关
