四探针电阻率仪 型号:KDY-1

四探针电阻率仪 型号:KD09-KDY-1 四探针电阻率仪 型号:KD09-KDY-1

（1）仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

（2）范：电阻率10-5～10+3欧姆·厘米，辨率为10-4欧姆·厘米

方块电阻10-4～10+4欧姆/□，小辨率为10-3欧姆/□

（3）可测量材料：半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等

可准确测量的半导体尺寸：直径≥20㎜

可测量的半导体尺寸：直径≥8㎜

（4）测量方式：平面测量。

（5）电压表：双数字电压表，可同时观察电流、电压变化

A.电流表量程0~199.99 mV，电压表量程0~19.999 mV

B.电压灵敏度：1μv和10μv

C.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)

D.输入阻抗﹥1000MΩ

E. 4 1/2位数字显示，0～19999

（6）恒流源：

A.电流输出：直流电流0.003～100 mA连续可调，由交流电源供给

B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五档

C.恒流源：各档均≤±0.05%

（7）四探针测试

测量电阻率的小游移探针头,实用号ZL 03 2 74755.1。使用几何尺寸十的红宝石轴承，量具的硬质合金探针，在宝石导孔内运动，持久，高。

A.间距1.59㎜

B.探针机械游率：±0.3%

C.探针直径0.8㎜

D.探针材料：碳化钨，探针间及探针与其他部之间的缘电阻大于109欧姆。

（8）手动测试架：KDJ-1A 型手动测试架由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。

（9）

电器：1-1000欧姆≤0.3 %

整机测量：1-500欧姆·厘米≤3%

（10）电流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W

四探针电阻率仪 型号:KD09-KDY-1四探针电阻率仪 型号:KD09-KDY-1

（1）仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

（2）范：电阻率10-5～10+3欧姆·厘米，辨率为10-4欧姆·厘米

方块电阻10-4～10+4欧姆/□，小辨率为10-3欧姆/□

（3）可测量材料：半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等

可准确测量的半导体尺寸：直径≥20㎜

可测量的半导体尺寸：直径≥8㎜

（4）测量方式：平面测量。

（5）电压表：双数字电压表，可同时观察电流、电压变化

A.电流表量程0~199.99 mV，电压表量程0~19.999 mV

B.电压灵敏度：1μv和10μv

C.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)

D.输入阻抗﹥1000MΩ

E. 4 1/2位数字显示，0～19999

（6）恒流源：

A.电流输出：直流电流0.003～100 mA连续可调，由交流电源供给

B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五档

C.恒流源：各档均≤±0.05%

（7）四探针测试

测量电阻率的小游移探针头,实用号ZL 03 2 74755.1。使用几何尺寸十的红宝石轴承，量具的硬质合金探针，在宝石导孔内运动，持久，高。

A.间距1.59㎜

B.探针机械游率：±0.3%

C.探针直径0.8㎜

D.探针材料：碳化钨，探针间及探针与其他部之间的缘电阻大于109欧姆。

（8）手动测试架：KDJ-1A 型手动测试架由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。

（9）

电器：1-1000欧姆≤0.3 %

整机测量：1-500欧姆·厘米≤3%

（10）电流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W