高仿德国OBO浪涌保护器V20-C/3+NPE-385V

V20-C/3+NPE-385V-40KA电涌保护器/浪涌保护器就是超出正常工作电压的瞬间过电压，被称为瞬变脉冲电压、瞬态过电、突波或电涌等，是电路中出现的一种短暂的电流、电压波动，在电路中通常持续约百万分之一秒的一种剧烈脉冲。220 v电路系统中持续瞬间（百万分之一秒）的5KV或10KV的电压波动，即为电涌或瞬态过电。电涌也指电网输出电压有效值大于额定值110%，其持续时间为一个周波（20ms）至数个周波的电压变化。电涌的来源有两类：外部电涌和内部电涌。外部电涌主要来源于雷电，另一个来源是电网中开关操作等在电力线路上产生的过电压。内部电涌：经研究发现，低压电源线上88%的电涌产生于建筑物内部设备，如：空调、电梯、电焊机、空气压缩机和其它感应性负荷。根据统计，在美国：由于电涌给各行业造成的停产、时间的损失、设备维修、过早地更换设备等直接损失每年高达260亿美金，在中国，据有关统计，在保修期内出现问题的电气产品中，有63%是由于电涌产生的。      

涌的产生方式

1、雷电电涌过电压

雷击引起的电涌可分为： （1）感应雷击电涌过电压：雷击闪电产生的高速变化的电磁场  ，闪电辐射的电场作用于导体，感应很高的过电压，这类过电压具有很陡的前沿并快速衰减。 （2）直接雷击电涌过电压：直接落雷在电网上，由于瞬间能量巨大，破坏力极强，目前还没有一种设备能对直接落雷进行保护。 （3）雷击传导电涌过电压：由远处的架空线传导而来，由于接于电力网的设备对过电压有不同的抑制能力，因此传导过电压能量随线路的延长而减弱。 （4）振荡电涌过电压：动力线等效一个电感，并于大地及临近金属物体间存在分布电容，构成并联谐振回路，在TT、TN供电系统，当出现单相接地故障的瞬间，由于高频率的成分出现谐振，在线路上产生很高过电压，主要损坏二次仪表。 2、操作电涌过电压 在电力系统内部，由于断路器的操作、负荷的投入和切除或系统故障等  系统内部的状态变化，而使系统参数发生变化，从而引起的电力内部电磁能量转换或传输过渡过程，将在系统内部出现过电压。系统内的电涌主要来自于系统内部用电负荷的冲击，大约占80%。在电力系统引起的内部过电压的原因大致可分为： （1）电力大负荷的投入和切除； （2）感性负荷的投入和切除； （3）功率因素补偿电容器的投入和切除 （4）短路故障 内部产生的电涌特点主要是震荡型，在供电系统中的变压器、感性负载和电容器之间震荡且高次谐波成分含量高。IEEE中指出，内部电涌的电压值在几微秒至几纳秒从几百伏升高至6000V。在繁忙的工厂或城市商业用电环境中，每小时的瞬间电涌可达到180000~432000次。 载流和重燃电涌过电压：由接通和分断控制设备时产生，特别是电动机或变压器负载，在起动阶段或故障时分断，出现载流和重燃过电压，常使电动机绕组或变压器击穿损坏（如国内一钢铁企业发电厂，在一个月内因接通和分断过电压造成两台3000KW电动机相间南穿穿短路损坏）。 3、静电放电  干燥的绝缘体（如毛制品），在干燥的环境通过摩控产生静电，能量较小，主要损坏集成电路。

2电涌的破坏原理与现象

造成电涌（瞬变脉冲）的原因包括闪电、接地不良、感性负载切换、市电故障排除以及静电放电（ESD），其结果可能会造成数据丢失（或损坏）甚至设备的损毁。而其中以闪电破坏性强。闪电击中以及触点开关产生的瞬间放电或电弧放电引起的电涌，从现象上看有： 飞弧：在被损的部件上留下明显的电弧痕迹；  电晕：在绝缘体表面上，有明显的电蚀痕迹，被蚀部位绝缘下降； 控制电路的IC等元件损坏；一般电子设备、家用电器的整流元件、稳压元件损坏； 接地故障成设备带电（单相接地）：造成设备相间短路（电机相间短路）。 电涌的危害主要分成两种：灾难性的危害和积累性的危害。 灾难性危害：一个电涌电压超过设备的承受能力，则这个设备完全被破坏或寿命大大降低。如下图所示： 电机通常的绝缘电压为正常工作电压的2倍加1000V左右，故220V电机的绝缘电压一般为1500V。电涌不断地冲击电机的绝缘层，导致绝缘层被击穿。 积累性危害：多个小电涌累积效应造成半导体器件性能的衰退、设备发故障和寿命的缩短，后导致停产或是生产力的下降。 上图是一个实际的例子，这是从美国空军计算机  上取下的芯片，圆圈处的凹陷造成IC芯片的损坏导致停机和器件更换，上下部的裂痕造成停机、出错和复位。需要指出的是，该芯片在安装了昂贵的UPS系统中工作。 电涌普遍的存在于配电系统中，也就是说电涌无处不在。 电涌在配电系统主要表现有： 电压波动； 在正常工作情况下，机器设备会自动停止或启动； 用电设备中有空调、压缩机、电梯、泵或电机，电脑控制系统经常出现无理由复位； 电机经常要更换或重绕；

电气设备由于故障、复位或电压问题而缩短使用寿命。

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电涌对敏感电子电器设备的影响有以下类型： 破坏 电压击穿半导体器件； 破坏元器件金属化表层； 破坏印刷电路板印刷线路或接触点； 破坏三端双可控硅元件/晶闸管。 干扰 锁死、晶闸管或三端双向可控硅元件失控； 数据文件部分破坏； 数据处理程序出错； 接收、传输数据的错误和失败； 原因不明的故障。 过早老化 零部件提前老化、电器寿命大大缩短； 输出音质、画面质量下降。