本公司是红外发射管、光敏接收管、可见光LED为主，集开发、生产、销售全系列发光二管为一体的生产厂，公司主要技术人员拥有近十年ＬＥＤ封装与开发技术能力，公司生产的红外灯系列一直处于行业的，与国内外企业有着密切合作，并不断开发改进，将更好的优质产品提供给国内外客户使用。
公司均采用国内外的自动化设备生产，大大产品品质以及生产产能；公司通过ISO9001质量体系，产品经过，合ROHS要求，能够满足客户对产品的要求。
本公司的红外灯电性稳定、辐射强度高、品种、，广泛应用于红外系统（红外摄像头、红外相机、行车记录仪等）、婴儿器及红外控制系统等领域。
产品按波长主要分为940、850NM两种，其中850在工作时有红爆点，940是看不到红爆点的，但940的辐射强度在相同工作电流的情况下只有同规格85强度的1/2到1/3左右，故在远距离是一般是采用850做红外光源，在隐蔽性要求较高的情况下一般是胶体颜色改变或采用940做光源
本公司生产的红外发射管芯片分为鼎元及光磊两种，适用于中产品的需求
940红外灯电压：1.1~1.35V@50ma，每0.1V一档 漏电流控制在5V 5uA以内
850红外灯电压：1.35-1.55V@50ma,每0.1V一档 漏电流控制在5V 5uA以内
直插式红外灯常规尺寸有 φ3、 φ4、 φ5、φ8φ10，亦可亦要求订制异型规格
发射距离：8~80M，依客户要求选择，工作电流越大，角度越小的情况下发射距离会越远
LED胶体颜色可依要求配制：一般有水透明、蓝透明、黑胶体、有色扩散等
发射角度需客户要求调整：有10º、20º、30º、40º.....120º均可定做，在近距离情况下一般使用角度大一些的红外灯，远距离时才用到小角度的红外灯
红外灯的工作电流主要由内部芯片的大小决定，工作电流越大其辐射强度会越大，其亮度也会增加，本公司常规芯片有10mil 12mil 14mil 16mil,工作电流分别为30ma 60ma 80m，120ma；其耗散功率分别为60MW、100MW、150MW、200MW。
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)（固定限额定参数）
Parameter | Symbol | Rating | Unit |
Peak Forward Current（峰值电流） | IFP | 1 | A |
Reverse Voltage（反向电压） | VR | 5 | V |
Operating Temperature（工作温度） | Topr | -40 ~ +85 | ℃ |
Storage Temperature（贮存温度） | Tstg | -40 ~ +85 | ℃ |
Soldering Temperature（焊接温度） | Tsol | 260 | ℃ |
Notes:
1. IFP Conditions--Pulse Width≦100μs and Duty≦1%.（峰值电流条件，脉冲宽度≦100μs and Duty≦1%）
2. Soldering time≦5 second@260℃.（焊接条件，小于5秒@260℃）
如有需求请联系-8018,59兴辉光电宋先生
,兴辉光电张先生
所用芯片：台湾鼎元12MIL芯片
我司生产的850红外发射管均采用台湾鼎元等大厂的芯片，成品具有发射距离远，一致性好，品质稳定，寿命的特点！并且郑重：如发现我司芯片为假，十！
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)
Parameter | Symbol | Rating | Unit |
Continuous Forward Current | IF | 50 | mA |
Peak Forward Current | IFP | 1 | A |
Reverse Voltage | VR | 5 | V |
Operating Temperature | Topr | -40 ~ +85 | ℃ |
Storage Temperature | Tstg | -40 ~ +85 | ℃ |
Soldering Temperature | Tsol | 260 | ℃ |
Power Dissipation at25℃Free Air Temperature | Pd | 100 | mW |
Notes:*1:IFPConditions--Pulse Width≦100μs and Duty≦1%.
*2:Soldering time≦5 seconds.
Electro-Optical Characteristics (Ta=25℃)
Parameter | Symbol | Condition | Min | T | Max | Unit |
Radiant Intensity | IE | IF=20mA | 7.8 | 15 | -- | mW/sr |
Radiant Intensity | IE | IF=100mA Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 140 | -- | mW/sr |
Radiant Intensity | IE | IF=1A Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 950 | -- | mW/sr |
Peak Welength | λp | IF=20mA | -- | 850 | -- | nm |
Spectrial Bandwidth | Δλ | IF=20mA | -- | 45 | -- | nm |
Forward | VF | IF=20mA |
| 1.45 | 1.65 | V |
Forward | VF | IF=100mA Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 1.8 | 2.40 | V |
Forward Voltage | VF | IF=1A Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 4.1 | 5.25 | V |
Reverse Current | IR | VR=5V | -- | -- | 5 | μA |
View Angle | 2θ1/2 | IF=20mA | -- | 100 | -- | deg |
