整流二管
rectifier diode
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳和阴两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二管的单向导电性,其伏安特性和电路号如图2所示。整流二管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二管高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二管主要用于各种低频半波整流电路，如需全波整流需连成整流桥使用。
选用整流二管时，主要应考虑其整流电流、反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
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