：
1.1GHz帯に優れた高周波特性（50Ω系,～1GHz）インサーション?ロス：0.3dB以下
アイソレーション：
接点間20dB以上
異極間30dB以上
V.S.W.R.：1.2以下
参考データ（50Ω系）試料：ARA200A12
測定方法：弊社測定用基板を使用しHP製ネットワークアナライザ（HP8753C）にて測定
参考データ（75Ω系）試料：ARA200A12
測定方法：弊社測定用基板を使用しHP製ネットワークアナライザ（HP8753C）にて測定
2.サーフェスマウント型
サーフェスマウント型のため高周波特性に優れています。また基板回路設計においてマイクロストリップライン化が図れ、基板加工も省力化できます。
