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肖特基二管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,D是肖特基势垒二(SchottkyBarrierDiode,缩写成D)的简称。D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,D也称为金属-半导体(接触)二管或表面势垒二管,它是一种热载流子二管。
肖特基二管肖特基(Schottky)二管,又称肖特基势垒二管(简称D),它属一种低功耗、速半导体器件。显著的特点为反向恢复时间短(可以小到几纳秒),正向导通压降0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二管、续流二管、保护二管,也有用在微波通信等电路中作整流二管、小信号检波二管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
肖特基(Schottky)二管的特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要考虑。