用途：
TGG单晶具有大的磁光常数、低的光损失、高热导性和高激光损伤阈值，广泛应用于YAG、掺Ti蓝宝石等多级放大、环型、种子注入激光器中。
TGG单晶是用于制作法拉第旋光器与隔离器的磁光材料，适用波长400-1100nm（不包括470nm-500nm）。法拉第旋光器由TGG晶棒和一个设计的磁体组成。穿过磁光材料的光束的偏振方向将在磁场作用下发生偏转，其偏转方向只与磁场方向有关，与光束传播方向无关。光隔离器由一个45度偏转的旋光器和一对适当放置的偏振器组成，它使光束能沿一个方向通过，而阻断反向传播的光束。
特性参数：
分子式 Tb3Ga5O12
晶格常数 a＝12.355
生长方法提拉法
密度 7.13G
莫氏硬度 8.0
熔点 1725℃
折射率 1.954 at 1064nm
温度系数 9.4x10-6℃-1
维尔德常数 0.12min/Oe.cm at 1064nm
产品尺寸：
多种常规尺寸，以及可按客户要求定制可做到Ф20mm
我司tgg晶体坯料消光比可30dB
TGG单晶具有大的磁光常数、低的光损失、高热导性和高激光损伤阈值，广泛应用于YAG、掺Ti蓝宝石等多级放大、环型、种子注入激光器中。
TGG单晶是用于制作法拉第旋光器与隔离器的磁光材料，适用波长400-1100nm（不包括470nm-500nm）。法拉第旋光器由TGG晶棒和一个设计的磁体组成。穿过磁光材料的光束的偏振方向将在磁场作用下发生偏转，其偏转方向只与磁场方向有关，与光束传播方向无关。光隔离器由一个45度偏转的旋光器和一对适当放置的偏振器组成，它使光束能沿一个方向通过，而阻断反向传播的光束。
特性参数：
分子式 Tb3Ga5O12
晶格常数 a＝12.355
生长方法提拉法
密度 7.13G
莫氏硬度 8.0
熔点 1725℃
折射率 1.954 at 1064nm
温度系数 9.4x10-6℃-1
维尔德常数 0.12min/Oe.cm at 1064nm
产品尺寸：
多种常规尺寸，以及可按客户要求定制可做到Ф20mm
我司tgg晶体坯料消光比可30dB
