4.变频器用GTR的选用⑴Uceo 通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。Uceo≥2厂2U 在电源电压为380V的变频器中，应有 Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用 Uceo=1200V的GTR是适宜的。⑵Icm 按额定电流In峰值的2倍来选择 Icm≥2厂2 In GTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基驱动系统比较复杂，并使工作频率，这是其不足之处。 今天我告诉大家的是MOSFET以及IGBT1、 功率场效应晶体管（POWER MOSFET） 它的3个分别是源S、漏D和栅G其工作特点是，G、S间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小，主电路的漏电流Id也跟着改变。由于G、S间的输入阻很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，MOSFET还具有热稳定性好、工作区大 等优点。但是，功率场效应晶体管在击穿电压和电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导。2、 缘栅双晶体管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅为缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个分别是集电C、发射E和栅G。工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge,输入阻很高，栅电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电电流I。至今，IGBT的击穿电压也已做到1200V，集电饱和电流已过1500A，由IGBT作为逆变器件的变频器容量已250KVA以上。
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