二管又称晶体二管,简称二管(diode)，另外，还有早期的真空电子二管；
它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二管内部有一个PN结两个引线端子，
这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。
一般来讲，晶体二管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。
在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于时，由于p-n
结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，
这也是常态下的二管特性。
Wx253M50
Wx253M40
Wx253M20
SW35CXC12C
SW28CXC12C
WX166M80
WX166M20
WX166M00
WX166MC360
WX166MC320
SW45FXC1100
SW36FXC1100
SW45CXC1100
SW36CXC1100
SW40CXC1170
SW30CXC1170
Wx254MC600
Wx254MC520
Wx254MC500
SW14CXC935
SW12CXC935
SW10CXC935
SW02CXC935
SW45CXC920
SW36CXC818
SW50CXC815
SW25CXC805
SW22CXC805
SW18CXC805
SW08CXC805
SW50CXC680
SW40CXC680
SW30CXC635
SW24CXC635
SW60CXC620
SW50CXC620
SW36CXC595
SW30CXC595
SW60DXC500
SW60CXC500
SW50CXC500
SW25HXC565
SW20HXC565
SW32HX45
SW20HX45
SW32CX45
SW20CX45
SW56CXC350
SW45HXC270
SW36HXC270
SW45HXC270
SW36HXC270
SW15HHN470
SW12HHN470
SW04HHN470
SW15HHR470
SW12HHR470
SW04HHR470
SW15PHN470
SW12PHN470
SW04PHN470
SW15PHR470
SW12PHR470
SW04PHR470
WX171SF320
WX171SF280
WX171SF250
WX171SE320
WX171SE280
WX171SE250
WX171RF320
WX171RF280
WX171RF250
WX171RE320
WX171RE280
WX171RE250
SKCH40/14 SEMIKRON 40A/1400V/DIODE+SCR/5U
SKCH40/16 SEMIKRON 40A/1600V/SCR+DIODE/5U
SKD100/04 SEMIKRON 100A/400V/DIODE/6U
SKD100/08 SEMIKRON 100A/800V/DIODE/6U
SKD100/12 SEMIKRON 100A/1200V/DIODE/6U
SKD100/14 SEMIKRON 100A/1400V/DIODE/6U
SKD100/16 SEMIKRON 100A/1600V/DIODE/6U
SKD110/04 SEMIKRON 110A/400V/DIODE/6U
SKD110/08 SEMIKRON 110A/800V/DIODE/6U
SKD110/12 SEMIKRON 110A/1200V/DIODE/6U
SKD110/14 SEMIKRON 110A/1400V/DIODE/6U
SKD110/16 SEMIKRON 110A/1600V/DIODE/6U
SKD110/18 SEMIKRON 110A/1800V/DIODE/6U
SKD115/12 SEMIKRON 110A/1200V/DIODE/6U
SKD115/16 SEMIKRON 110A/1600V/DIODE/6U
SKD115/18 SEMIKRON 110A/1800V/DIODE/6U
SKD116/12-L100 SEMIKRON 110A/1200V/DIODE/6U
SKD116/12-L75 SEMIKRON 110A/1200V/DIODE/6U
SKD116/16-L100 SEMIKRON 110A/1600V/DIODE/6U
SKD116/16-L75 SEMIKRON 110A/1600V/DIODE/6U
SKD145/12 SEMIKRON 140A/1200V/DIODE/6U
SKD145/16 SEMIKRON 140A/1600V/DIODE/6U
快恢复、快恢复二管的结构特点
快恢复二管的内部结构与普通二管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。快恢复二管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可几十纳秒。
快恢复二管
20A以下的快恢复及快恢复二管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二管，根据两只二管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）快恢复二管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装， 几十安的快恢复二管一般采用TO-金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。
