工作原理
CRO910系列扩散硅压力传感器系采用芯片,经过精心的结构设计,信号处理和组装,并按照标准和企业标准,进行测试而生产出来的新一代测量元件。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术,在单晶硅片的特定晶向上,用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥,形成敏感膜片,当受到外力作用时产生微应变,电阻率发生变化,使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)在激励电压信号输出,经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺,生产出具有标准输出信号的压力变送器。
特点
※输出稳定灵敏度高
一般应变式传感器输出为10mv左右,而扩散硅传感器满量程输出为100mv左右,干扰及噪声等因素影响相对较小,放大电路成本也相应降低,分辨率大大。压力附近无区。
※高,重复性好
扩散硅压阻式压力传感器实现了压力受感,压力传递力一电转换由同一元件上实现,无中间转换环节,滞后,无机械位移变形,了小的重复性和迟滞误差,和良好的线性度,无蠕变、稳定、、寿命长。
※良好的温度特性
由于采用了激光调阻,计算机补偿等技术和巧妙控制扩散浓度,实现满量程温度漂移(灵敏度温度系数)自补偿。克服了半导体晶片本身温度系数大的缺陷,使变送器的位和满度温漂了较高的水准,拓宽了使用温区。
※适合于危险易爆的领域和场所应用
扩散硅压力传感器,变送器具有低电流,低电压,低功耗的特点,属于本质爆型产品,并已取得了爆机构颁发的爆证书。
※高性与干扰性能
产品由于采用了不锈钢材质与护结构,和放大电路的雷击、干扰、过压、过流等一系列保护手段,了的密封腐和恶劣工作环境的能力,适合一般工业现场测量和控制的需要。
技术参数
●使用对象:液体、气体或蒸汽
●测量范围:表压:0~5KPa~3.5MPa,密封表压:0~7MPa~100MPa;压:0~20KPa~35MPa,负压:-0.1MPa~2MPa
●输出:4~20mADC
●电源:12~36VDC
●负载特性:4~20mADC二线制
●温度范围:-40℃~+85℃
●外壳护:IP65
●爆类型:隔爆型dII6;本安型iaII6应外配栅
※性能指标
●综合:等级:0.1%、0.2%
●稳定性:&plun;0.25%FS/3年
●温度影响:-10℃~+60℃范围内:变化量小于&plun;0.1%/10℃(0.1级)、变化量小于&plun;0.15%/10℃(0.2级)、-30℃~-10℃,60℃~+85℃:变化量小于&plun;0.15%/10℃(0.1级)、变化量小于&plun;0.20%/10℃(0.2级)
●振动影响:在任何方向上振动频率为20-200Hz时,变化量小于&plun;0.02%BFSL
●冲击影响:任何方向100G冲击11ms后,变化量小于&plun;0.02%BFSL
●负载影响:只要输入变送器的端子电压高于12V,就无负载影响。
●位置影响:安装位置不影响点
※结构指标
●结构材料:外壳:不锈钢或低铜铸铝
接触介质材料与选择的传感器类型及采用的密封方式有关
全焊接结构:316L SS
“O”型圈密封结构:橡胶、聚四氟乙烯或氟橡胶
●过程连接:标准提供M20×1.5外螺纹
●电气连接:可根据需要从任何一个出口引出,建议使用φ10工业电缆作为引线,以便密封。引出接头可选用通用电缆接头PG16或M20×1.5,不引线一端用端盖封住。