M-12位移传感器

　　M-12位移传感器（通用型LVDT）
　　M-12系列LVDT产品采用绕线工艺：不是将绕线绕在多个肋板的骨架上而是以多层的方法绕在带缘层的不锈钢管上，的现代军事和航空航天领域的LVDT都釆用这种工艺。与其它标准LVDT产品相比，M-12系列除了具有一般LVDT特点外，还有结构简单，工作，寿命长，线性度好，动态频率高，等。同时，由于采用绕线工艺，在同样、行程下行程与长度比M-12系列产品比其它产品要短得多，而且温度特性也很好。
　　M-12系列产品釆用双屏蔽内部用含镍80%的高导磁率材料做屏蔽，外管使用导磁不锈钢410SST，使其产品具有优异的电磁干扰能力。而真空绕线和封装了产品在苛刻的，高振动环境中的良好稳定性。
　　
　　M-12位移传感器特点：
　　优异的行程与长度比
　　具有无限的分辩率（理论）
　　对传递函数的平滑性
　　优异的温度特性
　　典型温度系数：≤150PPM/℃（2.5～5.0KHz）
　　不锈钢外壳
　　
　　技术指标：
　　
　　类型：LVDT，位移传感器，位移变送器
　　量程：±10，20，30，50，100（毫米）
　　度：0.5%
　　供电电源：3Vrms（标称）
　　工作温度：-35℃~85℃
　　电气连接：28　AWG多芯铜导线（300mm）
　　典型应用：材料变形测试，液面位置反馈，辊筒间隙，X－Y位置，汽车悬挂系统测试，阀门位置反馈，飞行模拟器，飞机机翼位置反馈。
　　M-12位移传感器型号：M12-10　M12-20　M12-30　M12-50　M12-100
　　订购示例：M12-10系列，量程为±10mm.