硅光电探测器（Si）
———室温型探测器，波长范围：200-1100nm
两种型号的探测器室的外观相同，其中：
◆DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器
◆DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器
◆推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用
硅光电探测器使用建议：
◆DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
◆DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
◆DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。
其他说明
| 技术指标\型号名称 | DSi200 紫敏硅探测器 | DSi300 硅探测器 |
| 进口紫外增强型 | 国产低暗电流型 | |
| 有效接收面积(mm 2 ) | 100(Φ11.28) | 100(10*10) |
| 波长范围(nm) | 200-1100 | 300-1100 |
| 峰值波长(nm) | ------- | 800±20 |
| 峰值波长响应度(A/W) | 0.52 | >0.4 |
| 254nm的响应度(A/W) | 0.14(>0.09) | ------- |
| 响应时间(μs) | 5.9 | ------- |
| 工作温度范围(℃) | -10~+60 | ------- |
| 储存温度范围(℃) | -20~+70 | ------- |
| 分流电阻RSH(MΩ) | 10(>5) | ------- |
| 等效噪声功率NEP (W/√Hz) | 4.5*10 -13 | ------- |
| 暗电流(25℃;-1V) | ------- | 1X10 -8 -5*10 -11 A |
| 结电容(pf) | 4500 | <3000(-10V) |
| 信号输出模式 | 电流 | 电流 |
| 输出信号极性 | 正(P) | 正(P) |
