产品详情：
指 标 名 称 | 参 数 值 | 条 件 | |
标 称 频 率 | 12.80，10.00MHz |
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频 率 稳 定 度 | 温度稳定度 | ≤±1×10-7 | 0℃～+70℃相对于25℃ |
日老化率 | ≤±5×10-9 | 30天后 | |
年老化率 | ≤±5×10-7 |
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短期稳定度 | ≤1×10-10/S |
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日波动 | ≤±4×10-8 | 温度变化±3℃ | |
开机特性 | ≤±1×10-7 |
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电压特性 | ≤±2×10-8 | 电源电压变化±5% | |
总稳定度 | ≤±4×10-6 | 20年内，全部环境条件 | |
相噪 | ≤-135dBc/Hz | @1KHz | |
电调 | 压控电压范围 | ——— |
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频率牵引范围 | ——— |
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手调 | 频率准确度 | ≤±1×10-7 | 出厂时校准，@25℃ |
≤±3×10-7 | 90天内，开机30分钟、@25℃ | ||
输出 | 波形 | 方波 |
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电平 | TTL/HCMOS | 负载10PF | |
占空比 | 45%～55% |
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上升沿/下降沿 | ≤6ns | 10%～90% | |
电源 | 供电电压 | +3.3×(1±5%)V |
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加热时间 | ≤5min | @25℃ | |
启动电流 | ≤750mA | @25℃ | |
工作电流 | ≤400mA | @25℃ | |
其它 指标 | 储藏温度 | -55℃～+90℃ |
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外形尺寸 | 26×22×12mm3 |
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石英晶体振荡器的结构：
当把石英晶振与振荡线路或集成电路 (IC) 一起整合在一个封装内 , 由外部提供电源电压 , 形成一个主动组件输出频率信号 , 就是所谓的石英晶体振荡器 . 石英晶体振荡器可以藉由单一封装组件内部不同的振荡线路及输出线路 , 提供不同特性需求的参考频率 (reference frequency). 例如有 石英频率振荡器 SPXO ( Simple Package Crystal Oscillator ) 或称为 CXO ( Clock Crystal Oscillator ), 可程序化石英晶体振荡器 PCXO ( Programmable Crystal Oscillator ), 电压控制石英晶体振荡器 VCXO ( Voltage Controlled Crystal Oscillator ), 温度补偿石英晶体振荡器 TCXO ( Temperature Compensated Crystal Oscillator ) 及 恒温槽控制石英晶体振荡器 OCXO ( Oven Controlled Crystal Oscillator ).
为了满足应用面需求而言 , 石英晶体振荡器内部的振荡线路有以基本波或三倍频不同方式 . 若要达到数佰兆赫的输出频率时 , 振荡线路后级可以采用锁相回路方式或倍频方式 , 将较低频率的石英振荡频率提升 . 对于输出端的输出准位及输出波形也有各类不同需求 , 如 CMOS, LVPECL, LVDS … .. 等 . 这些规格都要仔细的定义。
Crystals DIP
Crystals SMD
Crystals SMD GLASS
Crystals SMD (KHz)
