产地：英国
K650X具有三个磁控管，可对大样品进行镀膜，样品台可旋转，均匀沉积。这种方法可利用标准靶面，不需要的大靶面。
这种三头靶面系统适用于半导体晶片工业。
本系统磁电管靶使用低电压，了效率，并且能得到精细的颗粒，由于是冷溅射，所以无需冷却靶面或样品台。
仪器装有60mm直径、0.1mm厚的金靶（或用户选择），提供适合的性能价格比。
功能集中在仪器面板上及即插即用电子学设计，的“up-time”，这些用户友好设计满足了不同学科的用户需求。
溅射参数可被预先设置，包括气体放气针阀，此阀为电磁阀，具有自动控制，可及重复膜厚沉积。
溅射头互锁，系统可容易选配K250镀碳附件。本仪器为全自动操作，可控制的真空泵。
K650T Turbo Unit与上面相同，但具有涡轮分子泵，抽速60升/秒具有更高及清洁的真空。
特点
● 三个靶面溅射系统
● 全自动控制
● 低电压溅射
● 高分辨率精细涂层(金颗粒可达2 nm)
● 具有倾斜装置的旋转台
● 均匀厚度沉积(扫描电镜一般厚度为
20nm 或200埃)
● 225 mm腔室直径
● 可接膜厚器，实时镀层厚度
优点
● 适合大样品，如晶圆
● 易操作
● 无需冷却样品台
● 的再次涂层
● 种样品
● 膜厚度重复性好
● 容易装载或卸载大样品—到6英寸晶圆
● 可预设沉积厚度
技术规格
仪器尺寸：450mm W x 350mm D x 175mm H 重量：24公斤
工作腔室：硼硅酸盐玻璃 225mm Dia x 125mm H
基座： 110 mm直径x 115mm高
钟罩：聚碳酸酯
靶：3 x 60 mm 直径 x 0.1mm 厚(金作为标准靶材)
旋转台：直径为155 mm，可调节
样品台：距离靶面40到50 mm
真空范围：ATM-1x10-2 mbar
溅射电流：0-100mA
沉积速率：0-20nm/分
溅射定时： 0-4 分钟
预设置针阀：控制氩
电源：230 伏 50Hz
(8 amp max. including Pump)
