法国中束流离子注入机
l 控制离子束流
l 控制加速电压
l 占地小
l 操作简单
l 运行成本低
l 自维护
l 适合于研发应用
l 适用于4”~6”晶片，小可用于1*1cm2样品（室温）
l 4”热注入模式，温度可达600度
l 2个带有蒸发器的Freeman离子源，可使温度达750度
l 1个Bernas离子源
l 的铝注入能力
l 一个主气箱，配有4个气体管路；一个副气箱，配有4个中性气体管路
l 高价样品注入能力
l 注入角0~15度
l IBS的矢量扫描系统
l 手动装载/卸载用于标准注入和热注入，自动25片cette 装载用于标准腔室
l 远程操作控制接触屏（5米链接线缆）
l 辐射低于0.6usv/hour
l CE
工艺性能
l 2~210keV
l 束流：4”晶片100keV时，大于900uA (As, P), 大于450uA (B)
l 剂量范围：1*1011*1018~at/cm2
内非均匀性：1s<=1%(带有1000埃氧化层的4寸硅，注B，100kev，1*1014at/cm2
l 片间均匀性：1s ≤ 1 %
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