主要特点： |
1. 可用于300mm wafer及更小的晶片 |
2. 根据工艺要求，可配备ICP源或微波源及射频偏压在低温下去除剥离的光阻层，是其他同类产品拟的 |
3. 清洗刻蚀速率可达6um/min,损伤小 |
4. 设备体积小，节省空间 |
5. 适用于研究机构的小规模生产 |
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