主要特点： |
1. 单个基片、碎片或带承片盘的基片(3”-12”尺寸) |
2. 适用于实验室和试制线生产 |
3. 沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和无定形硅 |
4. 操作简单通过打开室盖，直接将基片装入工艺室 |
5. 可选配一个ICP 或三管（Triode）源，三管可获得更高密度等离子 |
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