- 产品品牌：
- MMR
- 产品型号：
- 70~730K
| 1. | 设备名称： | 霍尔效应测试仪 |
| 2. | 功能描述： | 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
| 3. | 设备明细： | |
| 3-1 | 测试范围： | Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
| 3-2 | 磁场： | |
| 3-2-1 | 磁场强度： | 0.35T 电磁体 / 0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 三种磁场可选 |
| 3-2-2 | 磁场类型： | 永磁体、电磁体可选。 |
| 3-2-3 | 磁场均匀性： | 磁场不均匀性＜±1 % 10年内磁场变化＜±0.2% |
| 3-3 | 测试样品： | |
| 3-3-1 | 样品测试仓： | 全封闭、带玻璃窗口 |
| 3-3-2 | 测试时间： | 80～580K、20分钟； 90～500K、15分钟内。 |
| 3-4 | 温 度： | |
| 3-4-1 | 温度区域： | 77 K~300K、77 K~580K、77 K~730K、80 K~580K等温区可以选择 |
| 3-4-2 | 温控： | 0.1K |
| 3-4-3 | 温控稳定性： | ±0.1 K |
| 3-5 | 电阻率范围： | 10-6~1013 Ohm*cm |
| 3-6 | 电阻范围： | 10 M Ohms~ 10G Ohms |
| 3-7 | 载流子浓度： | 102~1022cm-3 |
| 3-8 | 迁移率： | 10-2~109 cm2/volt*sec |
| 3-9 | 输入电流： | |
| 3-9-1 | 电流范围： | 0.1 pA~10mA |
| 3-9-2 | 电流： | 2% |
| 3-10 | 输入电压： | |
| 3-10-1 | 电压范围： | ±2.5V,小可测到6×10-6V |
| 3-10-2 | 电压分辨率： | 3×10-7V |
| 3-10-3 | 电压： | 2% |
| 4. | 仪器优点： | |
| 4-1 | 采用van der Pauw法测试。 | |
| 4-2 | 可测1cmX1cm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭、带玻璃窗口。 | |
| 4-3 | 配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自动。测试数据能够方便的储存和导出。 | |
| 4-4 | 模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统。 | |
| 4-5 | 测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优。 | |
| 4-6 | 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，变温范围80K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试。 | |
