CVD系统设备由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，CVD系统除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域
CVD成长系统是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统
CVD系统产品的特点：
1 CVD系统兼容、常压、微正压多种主流的生长模式
2 CVD系统可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长
3 CVD系统使用计算机控制，可以设置多种生长参数
4 CVD系统可以制备高质量，大面积石墨烯等碳材料，尺寸可达数厘米，研究动力学过程
5 CVD系统沉积效率高；薄膜的成分可控，配比范围大；厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜沉积且能大量生产
CVD炉
| 国产程序 | SK-G03123K | SK-G04123K | SK-G05123K | SK-G06123K | SK-G08123K | SK-G10123K |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 程序 | SK-G03125K | SK-G04125K | SK-G05125K | SK-G06125K | SK-G08125K | SK-G10125K |
| 温度 | 1200℃ | 1200℃ | ||||
| 加热度 | 210mm | 420mm | ||||
| 恒温度 | 70mm | 200mm | ||||
| 加热元件 | 高电阻优质合金丝OCr27Al7Mo2 | 高电阻优质合金丝OCr27Al7Mo2 | ||||
| 空炉升温时间 | <15min | <15min | ||||
| 额定功率 | 1.2Kw | 2.5Kw | ||||
| 工作电压 | 220V | 220V | ||||
| 温度控制 | 国产程序控温系统可编辑50段程序控制；程序控温系统可编辑40段程序控制； | |||||
| 控温 | ±1℃ | ±1℃ | ||||
石英管尺寸(mm) | Φ30/24x800 | Φ40/34x800 | Φ50/43x1000 | Φ60/53x1000 | Φ80/72x1000 | Φ100/92x1000 |
| 炉管材料 | 石英玻璃管 | 石英玻璃管 | ||||
炉管工作温度 | ＜1200℃ | ＜1200℃ | ||||
| 配置炉管时升温速度 | 500℃以下≤5℃/min; 500-800℃≤10℃/min; 800-1000℃≤5℃/min; 1000-1200℃≤2℃/min | |||||
| 真空/气氛总成配套 (可选) | 真空控制系统: 中真空控制系统、高真空控制系统、真空测量系统； | |||||
| 气路控制系统：气体浮子流量控制系统、气体质量流量控制系统； | ||||||
| 计算机集散控制系统； CVD电炉系统； | ||||||
| 外形尺寸(深x宽x高) | 290x400x479mm | 400x614x623mm | ||||
| 重量 | 35Kg | 75Kg | ||||
| 标准配置 | 气路总成一套(含真空压力表)，石英管一支，石英堵塞两支/舟一支，钩子一把，高温手套一副 | |||||
