仪器简介：
技术参数：
主要特点：
kSA BandiT是一种非接触、实时谱带吸收式半导体晶片温度传感器。它采用谱带随温度变化的半导体材料,可以监测高温计所不能测量的晶片温度。
kSA BandiT成功地为MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半导体沉积设备上安装了高、多晶片的温度图像系统。通过利用kSA BandiT温度监控系统以及复杂的循环同步技术,这种新的方案能实时提供MBE生长过程中所有晶片的温度分布全图。
新的kSA BandiT多晶片温度监控软件结合了自动伺服马达控制的扫描检测功能,从而为获得晶片和压台全面的实时温度提供了强大的技术保证。
该系统是一种能给生长过程中晶片提供实时的二维温度信息。对Wafer（及薄膜）表面温度实时、非接触、非入侵、直接的检测；采用温度和半导体材料对光的吸收边沿（谱带能量）相关性原理，即材料的本征特性，使得测量结果更为准确；可装载到MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统等和热处理、退火设备上，进行实时温度检测。
技术参数：
温度范围：室温~1300摄氏度；
温度重复性：0.2摄氏度；
温度分辨率：0.1摄氏度；
稳定性：+/-0.2摄氏度；
主要特点：
*实时、非接触、非入侵、直接的Wafer温度监测；
*多基片/晶片表面2D温度Mapping监测；
*真实的Wafer表面或薄膜温度监测；
*整合了新的黑体辐射监测技术；
*沉积速率和薄膜厚度分析；
*表面粗糙度分析功能；
*测量激光波长范围可选（例如：可见光波段、近红外波段等）
*避免了发射率变化对测量的影响；
*无需沉积设备Viewport特殊涂层；
