产品详细说明
技术参数
制造厂商：SAMSUNG三星 产品类别： NAND Flash
工作电压：2.7V -3.6V 工作温度： -40°C - 85°C
存储介质类别： SLC 管芯堆叠
I/O接口位宽: 8-bit-- 存储密度：8Gbits=1GB
损坏区块：包含坏块 芯片版本：第三代芯片
芯片特征： 普通（1片选+1状态）
封装类型：TSOP48 封装材料：无铅封装
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