- 品牌/商标：ZEISS
- 企业类型：制造商
- 新旧程度：全新
- 原产地：德国
FIB技术主要利用液态金属离子源作为高电流密度的离子枪，其小离子束直径可达几个纳米。因此可在纳米水平上进行快速、准确的刻蚀纳米加工。同时，利用配置的气体注入系统（GIS）,可以对样品进行纳米尺度的金属、绝缘体沉积，并可以对金属、绝缘体材料进行选择性腐蚀，因此在对集成电路进行改性、制备纳米量子器件、纳米集成电路，如单电子量子开关、纳米场效应管，准一维纳米结构的量子输运研究，及剖析微器件的横截面、透射电镜样品的制备等半导体、介观物理研究领域，具有广泛的应用。简单综合起来，FIB主要具有以下强大功能：
（1）对微器件进行减薄、剥蚀等解剖分析，
利用高电流密度的离子枪，可对微小样品进行纵深切割、定向钻孔。因此可对微器件，尤其是微器件，如磁头、计算机芯片等进行剖析；
利用选择性腐蚀技术，选择性地腐蚀金属或绝缘体，增加器件结构的衬度，便于微器件的剖析；
对集成电路进行改性(IC modification)；
快速、高效地制备微器件的横截面的透射电镜样品，该技术是目前其它截面电镜样品制备技术所无法比拟的；
（2）纳米加工（Nano Lithography）:
利用纳米离子束进行金属、绝缘体的沉积，生成导电极片(conductive pads)，进行迹线连接 (connecting traces)，结合选择性腐蚀技术，可制备纳米器件，如单电子量子开关，纳米场效应二极管；量子点的制备；量子线的制备及其量子输运特性研究，及微机械结构(Micro- electromechanical structures, MEMS)的加工等。
ZEISS公司新推出的新一代聚焦离子束电子显微镜AURIGA是一台高灵活性的CrossBeam工作站，它可以由客户自主选择应用目的。
独特的成像能力
- 在有局部电荷中和器的条件下，可以使用所有的标准探测器进行非导体样品的成像
- 在一个包括EsB技术的独特探测器设计中，可同时探测形貌和组分信息。
- 具有GEMINI物镜设计，可进行磁性样品的研究
先进的分析能力
- 具有局部电荷中和器，可进行非导体材料的分析
- 具有15个附属接口的多用途样品室
- 的样品室几何设计，可同时安装EDS,EBSD,STEM,WDS,SIMS等附属设备
的处理能力
- 创新的FIB技术，具有别的分辨率
- 在FE-SEM实时监控整个样品制备的过程中，具有高的分辨率
- 先进的气体处理技术，用于离子束和电子束的辅助刻蚀和沉积
客户自主选择和未来的可扩展性
- 基于一种全面的模块化的理念，AURIGATM CrossBeam?工作站可以由客户自行进行选择，以满足其今天以及未来的个性化应用。
- 从一个高性能的FE-SEM平台出发，这个系统伴随着广泛的可选的硬件和软件品种而升级，如：FIB,GIS,局部电荷中和系统和不同的探测器
AURIGATM基本规格 | ||
| SEM | FIB |
分辨率 | GEMINI镜筒 1.0nm @15kV 1.9nm @1kV | Cobra column:<2.5nm @ 30kV Canion column:<7nm @ 30kV |
放大倍数 | 12X—1000kx | 300x—500kx |
束流 | 4pA—20nA(80nA可选) | 1pA—50nA |
加速电压 | 0.1—30kV | 1.0—30kV |
发射源 | 热场发射 | Ga液态金属离子源（LMIS） |
气体注入系统 | a) 5通道气体注入器（Pt,C,W, l2,F,要求的其他气体） b) 带有集成式局部电荷中和器系统的4通道气体注入器（可以使用所有的标准探测器） c) 单通道气体注入器系统（Pt或要求的其他气体） d) 全自动和气动式可伸缩其他注入器（即局部电荷中和器）（可以使用所有的标准探测器） | |
探测器 | Ln-lens型：高效环形二次电子探测器 样品室型：E-T二次电子探测器 Ln-column型：带有过滤栅网的用于背散射电子探测的EsB探测器，栅网电压0—1500V 样品室型：基于闪烁体/光电倍增系统的组合式二次电子二次离子探测器（SESI）,固体式或闪烁体式BSE探测器 GEMINI?多模式BF/DF STEM探测器 | |
