特价STD5NM60，STMicroelectronics原厂生成，STD5NM60功率 MOSFET原装现货
- 制造商：STMicroelectronics
- 典型关断延迟时间：23 ns
- 典型接通延迟时间：14 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：13 nC V @ 10
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 25RMB7.45
- 5RMB7.50
产品属性
| 典型关断延迟时间 | 23 ns | 典型接通延迟时间 | 14 ns |
|---|---|---|---|
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC V @ 10 | 典型输入电容值@Vds | 400 pF V @ 25 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 6.2mm |
| 封装类型 | DPAK | 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| 引脚数目 | 3 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 96000 mW | 最大栅源电压 | ±30 V |
| 最大漏源电压 | 600 V | 最大漏源电阻值 | 1 |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 功率 MOSFET |
| 通道模式 | 增强 | 通道类型 | N |
| 配置 | 单 | 长度 | 6.6mm |
| 高度 | 2.4mm |
