STD100NH02L STMicroelectronics原装现货供应,环保现货STD100NH02L价格优惠
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 25RMB7.15
- 5RMB8.00
产品属性
典型关断延迟时间 | 60 ns | 典型接通延迟时间 | 15 ns |
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典型栅极电荷@Vgs | 62 nC V @ 10 | 典型输入电容值@Vds | 3940 pF V @ 25 |
安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 6.2mm |
封装类型 | DPAK | 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
引脚数目 | 3 | 最低工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 100000 mW | 最大栅源电压 | ±20 V |
最大漏源电压 | 24 V | 最大漏源电阻值 | 0.005 |
最大连续漏极电流 | 60 A | 最高工作温度 | +175 °C |
每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 功率 MOSFET |
通道模式 | 增强 | 通道类型 | N |
配置 | 单 | 长度 | 6.6mm |
高度 | 2.4mm |