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STD100NH02L STMicroelectronics原装现货供应,环保现货STD100NH02L价格优惠

  • STD100NH02L
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 典型关断延迟时间:60 ns
  • 典型接通延迟时间:15 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:62 nC V @ 10

参考价格

  • 数量单价USD批量价USD
  • 25RMB7.15
  • 5RMB8.00

产品属性

典型关断延迟时间60 ns典型接通延迟时间15 ns
典型栅极电荷@Vgs62 nC V @ 10典型输入电容值@Vds3940 pF V @ 25
安装类型表面贴装宽度6.2mm
封装类型DPAK尺寸6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目3最低工作温度-55 °C
最大功率耗散100000 mW最大栅源电压±20 V
最大漏源电压24 V最大漏源电阻值0.005
最大连续漏极电流60 A最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1类别功率 MOSFET
通道模式增强通道类型N
配置长度6.6mm
高度2.4mm