STB7NK80Z STMicroelectronics原装现货供应,环保现货STB7NK80Z价格优惠
- 制造商:STMicroelectronics
- 典型关断延迟时间:45 ns
- 典型接通延迟时间:20 ns
- 典型栅极电荷@Vgs:40 nC V @ 10
产品咨询直线:400-831-5318
深圳市新五棵星电子有限公司
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参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 25RMB15.80
- 5RMB17.70
产品属性
典型关断延迟时间 | 45 ns | 典型接通延迟时间 | 20 ns |
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典型栅极电荷@Vgs | 40 nC V @ 10 | 典型输入电容值@Vds | 1138 pF V @ 25 |
安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 9.35mm |
封装类型 | D2PAK | 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
引脚数目 | 3 | 最低工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 125000 mW | 最大栅源电压 | ±30 V |
最大漏源电压 | 800 V | 最大漏源电阻值 | 1.8 |
最大连续漏极电流 | 5.2 A | 最高工作温度 | +150 °C |
每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 功率 MOSFET |
通道模式 | 增强 | 通道类型 | N |
配置 | 单 | 长度 | 10.4mm |
高度 | 4.6mm |
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