专销 STMicroelectronics原厂STB11NM60 功率 MOSFET，STB11NM60现货热卖
- 制造商：STMicroelectronics
- 典型接通延迟时间：20 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：30 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：1000 pF V @ 25
产品咨询直线：400-831-5318
深圳市新五棵星电子有限公司
推荐供应商
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 1RMB16.80
- 25RMB16.00
产品属性
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC V @ 10 |
|---|---|---|---|
| 典型输入电容值@Vds | 1000 pF V @ 25 | 安装类型 | 表面贴装 |
| 宽度 | 9.35mm | 封装类型 | D2PAK |
| 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | 引脚数目 | 3 |
| 最低工作温度 | -65 °C | 最大功率耗散 | 160000 mW |
| 最大栅源电压 | ±30 V | 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大漏源电阻值 | 0.45 | 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 最高工作温度 | +150 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
| 通道类型 | N | 配置 | 单 |
| 长度 | 10.4mm | 高度 | 4.6mm |
| 深圳市新五棵星电子有限公司 地址：广东深圳深圳市福田区中航路国利大厦2425室 | STB11NM60 | Tel:400-831-5318 |
