SPB11N60C3分离式半导体产品,现货供应SPB11N60C3 接受批量订货
- 数据列表:SPB11N60C3
- 产品培训模块:CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
- 标准包装:1,000
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产品属性
数据列表 | SPB11N60C3 | 产品培训模块 | CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
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标准包装 | 1,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 | 系列 | CoolMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 7A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3.9V @ 500µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
功率 - 最大 | 125W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SP000013519SPB11N60C3INTRSPB11N60C3XTSPB11N60C3XTINTRSPB11N60C3XTINTR-ND |
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