SI7686DP-T1-E3 原厂直供，特价SI7686DP-T1-E3，主营 品牌分离式半导体产品
参考价格
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- 3000$0.3682
产品属性
| 数据列表 | SI7686DP | 标准包装 | 3,000 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 35A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9.5 毫欧 @ 13.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1220pF @ 15V | 功率 - 最大 | 37.9W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI7686DP-T1-E3TR |
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