产品属性
| 数据列表 | SI7476DP | 标准包装 | 3,000 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 15A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5.3 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 177nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.9W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI7476DP-T1-E3TR |
