SI7112DN-T1-E3分离式半导体产品，现货供应SI7112DN-T1-E3 接受批量订货
- 数据列表：SI7112DN
- 标准包装：3,000
- 家庭：FET - 单
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 15000$0.53423
- 3000$0.5866
- 30000$0.51956
- 6000$0.55727
- 75000$0.5028
产品属性
| 数据列表 | SI7112DN | 标准包装 | 3,000 |
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| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
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| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
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| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.3A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 毫欧 @ 17.8A，10V |
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| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 260pF @ 15V | 功率 - 最大 | 1.5W |
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| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
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| 供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 | 包装 | 带卷 (TR) |
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| 其它名称 | SI7112DN-T1-E3TR | | |
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